简介：文章介绍了激光干涉测温原理．测试装置及测试结果与普通方法的比较．从而说明此法的优点。

简介：本文介绍了一种产生稳定分立温度的装置。并给出了其上任一时刻的温度分布，以及达到稳定温度所需要的时间。

简介：本实验用惠斯通（Wheatstone）电桥测量了半导体电阻R随温度的变化规律，同时确定了本征半导体材料的禁带宽度△E。

简介：本文论述了偶层及其对标势的普遍解和边值问题的影响。

简介：在精密车削过程中，旋转工件的温度分布往往是影响其精度的一个重要因素，同时刀具温度对工件的加工精度影响也很大，需要对刀具的温度和工件的表面温度分布进行测量。

简介：Nd：YAG薄片激光介质一个表面采用二极管阵列泵浦，另一个表面冷却的工作方式，可以使薄片径向温度分布近似均匀，从而降低介质的热透镜效应和热致应力双折射。针对Nd：YAG薄片激光介质的热效应问题建立了理论计算模型。分别计算了在不同泵浦条件下薄片的温度分布和应力大小，薄片泵浦条件变化与应力的关系，以及在Nd：YAG薄片与Cu冷却器之间增加与Nd：YAG热膨胀系数相近的介质层材料（复合金刚石）对应力影响的关系。

简介：对平直钨丝的温度分布进行了实验测定，从而对钨丝的冷端效应的影响有了一定的认识。本文对存在冷端效应情况下净辐射换热量随距离的变化也作了定量的分析

简介：利用理想玻色气体的状态方程和平均占有粒子数的爱因斯坦分布，研究在均匀引力场中理想玻色气体的凝聚温度

简介：本文通过测试中模高强炭纤维的比电阻与测定温度的关系,分析了炭纤维的电性能,并给予了微观解释.

简介：利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明，由于Ge原予的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退大会使Ge原予向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。

简介：介绍一种高稳定的温度控制电路,该电路采用锁相放大方法对温度的微小变化进行检测,利用半导体制冷器进行温度的实时控制.在室温环境下,其温度稳定度可到10-3K量级.

简介：本文介绍一种加热装置的制作，该装置可代替热敏电阻温度系数测量实验中的加热油槽或水槽。

简介：详细地研究了LS1垫层在同一应力水平下，不同温度对其加速老化规律的影响。按照永久变形试验标准加工试样，然后对其进行长期加载，大小为对垫层进行45％压缩。加载以后的样品分别放入45，65℃和75℃的烘箱内，进行长时间加速老化；又分别在40，80，120d和160d的不同时间段内取出样品进行测试；分别测试了取出样品的质量、永久变形量、压缩性能、松弛性能、动态力学性能以及红外光谱。

简介：本文介绍新型集成温度传感器的特性及应用。

简介：采用环境氢脆技术及现代材料微观分析技术，研究了Fe-35Ni-15Cr实验合金在室温至900℃的力学性能及热充氢后在室温及750℃的力学性能，分析了温度对材料微观组织的影响，为优化其化学成分、热处理工艺等提供技术依据。

简介：在模态实验分析的基础上，建立一个五层仪表板的有限元模型，研究了其非线性振动特性，并通过随机振动试验验证了计算分析结果。

简介：用传输线法计算HEMP作用下的近地电缆屏蔽层感应电流时，将电缆的屏蔽层与大地看作一个传输线，将编制屏蔽层看成金属实管，采用分布源传输线模型来分析一段小截面传输线的输入（电磁场）与输出（感应电流或感应电压）的关系。激励电压源Ex（h,x）沿传输线长度分布，是入射场与反射场的叠加。每段长度增量都有相应电压源增量dEx。单位长度的纵向阻抗和横向导纳均考虑了有耗大地的影响。分布源传输线模型如图1所示。