简介:利用5V数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及8路3级驱动电路,逐步提升MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号,再经过次级驱动电路,提升为8路中高压驱动信号,加速输出级开关,产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生器工作电源电压为12V,输出电压为50~-200V,输出脉冲前后沿均为1.5ns,输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节,可在最小输出脉冲宽度3ns至直流信号之间变化。脉冲工作时,最大重频为3.3MHz,固有延迟为50ns,触发晃动小于0.2ns,体积为86mm×43mm×23mm。
简介:基于计算机串口通信和功率型金属氧化物半导体场效应晶体管,设计研制了程控产生单次快前沿负高压脉冲的信号发生器。其性能指标为高压脉冲幅度一100~-1000V,脉冲宽度40ns~2μs,脉冲前沿随脉冲幅度和宽度变化,可小于30ns,输出负载为50Ω作为一种模拟源,该高压脉冲信号发生器已用于小功率气体放电管的高压保护特性实验研究中。
简介:阐述了20kV固态Marx脉冲调制器的设计原理、结构特点及驱动控制方法。该系统由8级模块串联而成,每级模块的储能电容、高压充电和固态开关驱动供电均采用高压硅堆隔离,Marx模块采用两只独立控制的高压绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartran-Sstor,IGBT)对模块的储能电容实现充电和放电。IGBT驱动电路采用高压硅堆隔离供电、光纤传输触发脉冲和高性能IGBT驱动模块TD350设计构成。驱动电路具备完善的欠压、过流和过压保护功能。Marx模块采用插拔式结构,维护快捷简便。脉冲源在无强化散热措施条件下,输出方形高压脉冲幅度大于20kV,脉冲宽度为10ps,脉冲前后沿均为300ns,重复频率可达1kHz。
简介:实现了X型腔全固态端面泵浦Cr:LiSAF激光器的高效率输出和宽谱调谐。斜效率最高为33.3%,在吸收泵浦功率为650mW时,输出功率最高达160mW。在谐振腔内插入双折射滤光片(BF)调谐,调谐范围达787.952nm。测量了激光器的光谱、光束质量等,分析了激光器效率和调谐范围的限制因素。研究表明,X型腔全固态端面泵浦的Cr:LiSAF激光器可以实现高效的近红外宽谱调谐输出。
简介:对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。