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7 个结果
  • 简介:简要介绍了真空电子器件辐射原理和数值模拟方法,给出了粒子模拟方法的研究进展.讨论了真空电子太赫兹源器件的特点及其对数值模拟方法的要求.给出了高功率微波源和太赫兹源器件的数值模拟算例.提出了用于真空电子器件模拟的PIC方法的未来技术发展,包括动量能量守恒的粒子模拟方法、精确的几何和物理建模、阴极发射模型、有耗介质的处理和基于全局优化的器件设计方法等.

  • 标签: 真空电子器件 高功率微波 太赫兹波 PIC方法
  • 简介:采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

  • 标签: 半带电压漂移 低剂量率辐射损伤增强 MOS电容 总剂量
  • 简介:介绍了我院针对分光计实验的实际情况,自行研制了CCD电子显示系统,解决了实验教学中的难题,收到了很好的教学效果。

  • 标签: 分光计 电子显示系统 教学效果
  • 简介:利用蒙特卡洛方法分析了不同束流密度0.8MeV电子辐照下介电材料导电性能的变化趋势,同时开展了0.8MeV电子辐照下聚酰亚胺(Kapton)材料导电性能实验研究.理论和实验结果表明,在0.8MeV电子辐照后,Kapton材料导电性能在不同吸收剂量率下变化较大,电导率最大可上升5个量级,电阻由1014Ω变为1012Ω,下降2个量级.

  • 标签: 介电材料 高能电子辐照 电导率 剂量率
  • 简介:项目教学是以具体的生产工作任务为主线,由学生自主建构知识与技能,着力培养学生职业能力。在中职学校实施项目教学法,符合我国现阶段职业教育发展规律,有利于推动中职教育的发展。本文主要从项目教学法实施的几个阶段:确定目标、项目设计、项目实施、项目评价等着手,探索项目教学的具体应用。

  • 标签: 项目教学法 电子线路教学 职业教育
  • 简介:2010年、2011年,福建省高考理综物理试题中连续两年出现了一类新型选择题,原题如下:(2010年福建高考理综第18题)物理学中有些问题的结论不一定必须通过计算才能验证,有时只需通过一定的分析就可以判断结论是否正确。

  • 标签: 选择题 能力 突出 基础 夯实 物理试题
  • 简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

  • 标签: ZnO基压敏电阻 金属氧化物掺杂 缺陷 电子密度 电性能