简介：提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明：CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999958.

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率.该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义.

简介：空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素,必须在地面利用模拟试验方法评价航天器在轨抗辐射性能。但由于地面模拟试验环境与空间真实辐射环境在能谱、粒子种类、辐照时间等方面存在较大差异,为此国内外已开展了大量的空间辐射损伤地面模拟试验方法研究。但在空间低剂量率辐射损伤增强效应的地面模拟试验方法、重离子能量与入射角度对单粒子效应试验方法和预估方法的影响、质子和反应堆中子位移损伤等效方法等方面还面临着诸多尚未解决的问题。本文从空间辐射环境和地面模拟试验环境的差异性出发,着重阐述了低剂量率辐射损伤增强效应、粒子能量与入射角度对单粒子效应的影响、空间位移效应地面模拟试验方法3个方面的研究现状和存在的问题,梳理给出辐射损伤天地等效试验需要解决的关键基础问题,为空间辐射效应地面模拟试验方法研究和完善提供参考。

简介：提出了热管冷却推进一供电双模式运行的空间核反应堆初步概念,给出了堆芯及热管燃料组件的设计布局,以液氢为推进剂,进行了热工水力学初步分析计算,推进模式下推进剂出口温度达到2600K,验证了初步设计的可行性;分析比较了不同热电转换技术对系统辐射散热器质量及面积的影响,电功率为5kW时,辐射散热器面积可小到1.2m^2,预估了设计的热管冷却双模式空间堆各部件的质量,反应堆系统总质量小于1500kg.结果表明,初步设计的双模式空间堆参数满足相关要求.

简介：目的：圆形射流在实际工程中有着重要应用。本文旨在探讨弗劳德数（Fr）、跌坎高度和淹没度的变化对有界圆形射流时均流速在主流方向、横向和垂向上的衰减扩散规律的影响,对圆形射流的现有研究成果作进一步的补充。创新点：1.推导出圆形跌坎射流主流方向上流速与射流距离之间的关系;2.综合考虑了不同Fr、跌坎高度和淹没度对有限空间内的圆形射流流速分布的影响。方法：1.通过理论推导,验证流速测量方法的可行性和合理性;2.通过试验的方法,分析Fr、跌坎高度和淹没度的变化对圆形射流时均流速衰减和扩散的影响规律。结论：1.得出圆形射流主流方向流速衰减的公式;圆形射流的横向流速分布与高斯、柯西-洛伦兹分布吻合较好。2.当Re〉1×10^4时,Fr变化对流速衰减影响较小。3.当X/d〈10时,横向和垂向流速扩散与主流方向的距离呈二次方关系。4.时均流速最大值的位置与Fr和S/d无关。

简介：通过建立多电子枪模拟空间能谱等离子体环境的试验方法,完成了单麦克斯韦和双麦克斯韦等离子体环境下,Kapton材料和太阳电池玻璃盖片表面电位测试试验。研究表明,试验结果和NASCAP/GEO软件计算结果一致性较好,验证了采用多电子枪模拟空间能谱等离子体环境试验方法的有效性和准确性。

简介：结合脉冲中子管的结构特征,建立了一套基于Al_2O_3单晶闪烁屏和CCD相机的中子管氘离子束束流截面测量系统。闪烁屏直径为15mm,厚度为0.5mm。为了降低测量本底,CCD相机工作在触发模式。利用有限元分析软件,模拟计算了典型中子管束流参数下的闪烁屏温度,并利用该测量系统获得了中子管氘离子束在靶面处的典型强度分布。结果表明,该测量系统可以准确地反映脉冲离子束束流的横向强度分布特征。