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4 个结果
  • 简介:描述了一种采用HPGe探测器γ谱法无损测量核材料铀样品并计算样品的生产(纯化)年龄与同位素丰度的方法。该方法不需要其他任何标准源或参考源,对样品的形态(固体、液体)和形状没有限制,由铀样品自身所含多γ射线核素的γ峰来刻度相对峰效率曲线,由峰计数率、相对效率、γ射线发射概率等参数确定铀同位素的比值,由^234U与其衰变子体214Bi的活度比值计算其生产年龄。对一个铀总量约5g、^235U浓缩度约90%的24mL液体铀样品,用两套HPGe探测器分别测量不同区范围的γ谱:在平面型探测系统获取的低能区谱中,用^235U的γ峰刻度相对峰效率曲线,计算了^234U、^228Th(232U子体)与235U的相对比值;在同轴型探测系统获取的高能区谱中,用^228Th及其子体的γ峰刻度相对峰效率曲线,计算^238U、^214Bi与^228Th的相对比值,综合计算得到铀样品生产年龄(-32a)及铀同位素丰度,并与样品经过放化分离后,质谱法测量得到的结果进行了比较,生产年龄与丰度比偏差均在5%以内符合。

  • 标签: 高浓铀 铀年龄 丰度 Γ能谱 相对峰效率
  • 简介:以PbO,MgO,Nb2O5,TiO2为原料,采用两步固态反应法制备了纯钙钛矿相的0.92PMN-0.08PT陶瓷,并对其相的组成、微观形貌、介电性能和储性能进行了研究。在25℃,1kHz条件下,该陶瓷的相对介电常数高达27480,介电损耗tan艿仅为4%,电滞回线形状细长,剩余极化很小,可释放的能量密度达0.31J·cm-3.结果表明:室温下该陶瓷具有优良的介电和储性能。

  • 标签: PMN—PT陶瓷 介电性能 介电常数 能量密度
  • 简介:采用高频光电导衰退法测试了太阳电池用p型多晶硅片的少数载流子寿命,细致分析了光注入强度对测试结果的影响。结果显示光电导衰减曲线在靠近尖峰处较宽的时间区域内并按非指数规律快速衰减,当信号衰减到一定程度后逐渐接近指数规律,且随着光注入强度增大,少子寿命的测量结果显著减小。从非平衡载流子的表面复合效应和晶界复合效应出发,对导致该现象的物理机制进行深入解释。

  • 标签: 多晶硅 少子寿命 光电导衰退法 表面复合
  • 简介:利用YAG-50型声光调Q激光划片机对156+156*0.18mm的多晶硅太阳电池片进行划片实验,得到了不同调Q频率和电池片电性能参数的关系,从而找出了Q开关的最佳频率范围值,并从理论上探讨分析了不同调Q频率范围划片得到的太阳电池片电性能参数差异的原因。

  • 标签: 调Q频率 激光划片 开路电压 短路电流 填充因子