简介：利用日本原子力研究机构串列加速器提供的能量为85和95MeV的28Si束流,通过重离子熔合蒸发反应76Ge(28Si,3n),布居了101Pd的高自旋激发态。根据标准在束核谱学实验测量结果,拓展了基于d5/2和1/2-[550]组态的能级纲图,新发现了1/2-[550]组态的非优惠旋称分支,完整观测到了101Pd原子核中正负宇称带的带交叉现象。根据系统性分析,将101Pd中观测到的带交叉现象归咎于g9/2质子顺排。

简介：研制了一台小型超宽谱高功率微波辐射系统,该系统由Tesla型100kV级ns脉冲源、Peaking-chopping型亚ns气体开关及TEM喇叭天线构成.系统重复运行频率为100Hz,辐射因子rEp值为75kV,主轴辐射场中心频率为520MHz,-3dB频谱范围为230～810MHz.系统集成于一便携箱内,体积为80cm×50cm×26cm,重量约45kg.该系统结构紧凑,能够快速展开和撤收,可方便用于超宽谱高功率微波应用技术研究.

简介：为提高太赫兹脉冲的功率测量精度,基于n型硅在强电场下的热电子效应,研制了一种采用过模结构的0.14THz脉冲功率探测器.该探测器由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10、n型硅探测芯片和偏置恒流源组成.首先介绍了探测器的结构及工作原理,给出了相对灵敏度表达式,分析表明过模探测器能在TE1o模式下很好地工作.然后结合国内工艺水平,根据模拟计算结果设计了探测芯片的结构参数,完成了探测芯片的加工和探测器的制作.最后,利用该探测器对0.14THz相对论表面波振荡器的辐射场进行了验证性测量,并与二极管检波器的测量结果进行了对比分析.结果表明,过模探测器的响应时间在ps量级,相对灵敏度约为0.12kW-1,最大承受功率至少为数十瓦,可用于0.14THz高功率脉冲的直接探测.

简介：利用三维电磁场时域有限差分法,研究了n型硅片对0.3～0.4THz高功率脉冲的响应.模拟计算了波导内电场分布、电压驻波比及硅块内平均电场,给出了硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的影响规律.通过调整硅块的长、宽、高及电阻率,最后给出了一种可用于该频段高功率太赫兹脉冲功率测量的探测器物理模型,其灵敏度约为0.509kW-1,幅度波动不超过±14％,电压驻波比不大于1.34.

简介：简要介绍了强电磁脉冲环境及效应等方面的研究内容和进展状况,讨论了强电磁效应和评估与一般的电子战、电磁干扰、子系统之间的电磁兼容等之间的共同性和差异,并简要介绍了电磁防御的措施.

简介：高纯锗(HPGe)探测器是上个世纪70年代发展起来主要用于探测?射线的实验仪器。因其具有能量分辨率高、线性范围宽、探测效率高、性能稳定等优点,被广泛应用于核辐射探测领域中。本文对HPGe的基本结构、探测原理、技术发展以及在大学近代物理实验教学科研中的应用进行了详细阐述。