简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。
简介:建立了复合铁电薄膜的理论模型,具有不同相变温度的铁电组分垂直于极化方向进行复合,引入局域分布函数描述不同组分间过渡层的性质,采用Ginzburg-Landau-Devonshire(GLDI)唯象理论展开研究。通过改变复合铁电薄膜的组分数量(2种和3种),主要研究了复合铁电薄膜的极化、相变及热释电性质,并与均匀铁电薄膜的相关性质进行对比。研究表明组分数量的变化对铁电薄膜的相变和热释电性质有着重要的影响。2组分复合而成的铁电薄膜与均匀铁电薄膜一样都只出现1个热释电峰,而3组分复合而成的铁电薄膜随着温度的变化出现了2个热释电峰。2组分薄膜的热释电峰和3组分薄膜中的1个热释电峰峰值较均匀铁电薄膜的热释电峰的峰值有所升高。