简介：

简介：<正>据报导,国研中心专家邓郁松日前呼吁:鉴于我国未来能源供需面临的严峻形势,我们必须"开源节流",高度重视能源的可持续利用问题。为此,应该特别重视以下四个方面。

简介：

简介：综述了高性能／高温聚合物的定义和进展，影响因素，应用，市场和结构设计。在众多高性能／高温聚合物中，最普通的系列是由聚酰亚胺、聚芳醚和端苯乙炔基低聚物构成的，其证实了聚合物发展的基本原理。化学结构与性能的关系通常用来表明如何可依据综合性能进行聚合物设计。2000年世界高性能聚合物市场消费为206．7t消售额43．6亿$其中聚酰亚胺为39．82消售额10．7亿$(占24％美元值)。随着世界经济的发展，其市场可预计将显著增长。

简介：提出了一种基于碳纳米管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器模型,该显示器的阴极和栅极位于同一个平面上,阴极和栅极之间的沟槽用激光束刻蚀形成,工艺简单,实验得到的电子传输比可以提高到29.3%。

简介：双马来酰亚胺是一类较新的热固性聚合物，由于其具有优良的综合性能。例如在升高温度和湿润环境下的优良的物理性能保持性。在非常宽的温度范围内具有几乎恒定的电性能以及不自燃性能。已成为热固性聚酰亚胺的主导类型产品。优异的可加工性。热性能和力学性能的平衡。已使它在先进复合材料和电子电器产品中成为大路产品。

简介：北京京磁技术公司是开发生产高性能效铁硼(NdFeB)稀土永磁材料及其应用产品的民营高科技企业。公司成立于1987年,注册资金550万元。公司拥有资产1.3亿元,

简介：“纳米”台湾业者称“奈米”。纳米技术是台湾地区的新兴产业，可享受5年免税及投资、抵减优惠，以促进纳米技术的产业化。计划在2008年，纳米技术衍生及应用产值，可达3000亿台币。其中，民用化工产业的衍生产值达1．2-1．5亿元；金属机电产业的产值达0．8-1．2亿元；电子信息产业的衍生产值是0．5-0．8亿元。预计2011年时可达1兆台币。

简介：EMS伊文达-费希尔（Inventa—Fisher）公司开发出1种新型聚酯反应器技术，可降低生产聚酯原材料消耗，并可提高产率。这种称为ESPRE的塔式反应器可使转化费用降低26％，提高销售收益22％，并使聚酯质量得到改进。该反应器可灵活地用于生产PET、PTT、PEN和PBT及其共聚酯。

简介：

简介：美国近年来纳米技术研究与产品开发发展迅速。如医学领域的纳米医药机器人、纳米定向药物载体、纳米在基因工程蛋白质合成中的应用,微电子及信息技术领域的导电聚合物在信息技术的应用、纳米电子元器件FET二极管、用于感应器的电子序列、纳米传感器,化工领域的利用纳米材料提高催化剂的效能等,都取得了很大进展。

简介：纳米电子学是纳米技术的重要组成部分，其主要思想是基于纳米粒子的量子效应来设计并制备纳米器件，它包括纳米有序(无序)阵列体系、纳米微粒与微孔固体组装体系、纳米超结构组装体系。纳米电子学的最终目标是将微电子集成电路进一步减小、研制出由单原子或单分子构成的在室温能使用的各种器件。

简介：美国国家癌症研究所宣布了一项新的五年计划，打算利用纳米技术来对付癌症，并说纳米技术可能正是战胜这种疾病的武器。

简介：稀土元素是元素周期表中镧系元素加上与他们性质相近的钪(Sc)和钇(Y）共17个元素的总称。因其特殊的4f电子层结构而具有非常独特的光、磁、电和催化性能，这些独特的性能使稀土材料的应用几乎达到了“无孔不入”的境地。稀土在我国的应用已遍及13个

简介：综述了聚酰亚胺的合成方法，介绍了耐高温新型聚酰亚胺、低介电常数新型聚酰亚胺、纳米颗粒改性聚酰亚胺、抗紫外辐射、抗原子氧的聚酰亚胺。重点论述了结构与性能的关系，详细介绍了抗紫外辐射、抗原子氧的新型含氟、含苯基氧膦的聚酰亚胺及共聚酰亚胺的合成和性能。

简介：纳米科技和生物技术是二十一世纪的前沿科学技术，文章介绍了两者交叉所形成的新内容：纳米医学、纳米生物材料和纳米生物技术等方面的发展。

简介：阪村机械制作所是日本最大的生产螺栓、螺母成形设备的工厂，最近与大阪精工和神户制钢所共同开发了β钛合金冷锻技术。使以前用切削方法制造的螺栓等钛合金零件可用冷锻方法进行批量生产。另外，用冷锻技术还可以进行以前很难进行的拉深和凸缘成形，因此还可以应用于形状复杂的汽车和自行车零件的制造。与以前用切削方法制作钛合金螺栓相比，制造成本降低1／2。该公司计划今后逐渐扩大该技术在复杂形状零件方面的应用，并增加种类和尺寸。

简介：

简介：综述了双马来酰亚胺（BMI）的几种改性方法和改性物的性能，介绍了几种改性双马来酰亚胺的品种和特点。

简介：直径2英寸A／N衬底研制成功和LED技术的发展（可在同质衬底上生长掺杂外延层）将使Ⅲ族氮化物工艺进入一个新时代。2006年5月18日出版的著名科学杂志《自然》报道：日本NTT制出了迄今波长最短的LED，该公司用Si和Mg分别作n型和P型掺杂剂，制出了AINPIN型LED（在此以前，研究人员还未能“精确地”研制出满足LED器件要求的P型和n型A1N），该器件发射波长为210nm（但其发光效率还很低且工作电压很高（25V））。这为开发极短波长器件迈出了关键一步，可制出光谱的深紫外波段的发光和探测器件。