简介：德国维尔茨堡大学的科学家们和一个国际团队展示了分析过渡金属氧化物界面并对其性质进行建模的新方法。研究这些界面的电荷特性通常是具有挑战性的，因为它们的不同行为和它们的性质改变的尺度通常只有几个原子间隔。新方法使用基于谐振x射线反射测量的分析软件，其利用在同步加速器上产生的x射线光，原子尺度分辨率小于1。

简介：利用化学方法制备出Au-CdTe复合纳米颗粒,通过理论模拟及实验测试对其散射光谱进行了研究,利用FDTD（finitialdifferencetimedomain）软件,依据Mie散射理论模拟Au-CdTe复合纳米颗粒的散射特性,进行光散射实验验证.相比CdTe量子点,Au-CdTe复合纳米颗粒散射光强度约是CdTe量子点的1.5倍.Au-CdTe复合纳米颗粒具有更强的光学特性,为Au-CdTe在光学领域的更好应用提供了理论以及实验基础.

简介：以四层结构的热胀涂层薄膜／基体材料为基础，利用有限元建立模型分析了界面摩擦对压痕响应的影响。分析表明，考虑界面摩擦情况下，随着摩擦系数的增大，压痕响应越趋近于完全结合时的压痕响应；水平方向的最大位移值随着摩擦系数的增大也逐渐增大。界面光滑接触时接触界面力学响应可以忽略。

简介：使用分子束外延（MBE）技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAsSchottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术（ALD）插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaAs结构的肖特基势垒,随着掺杂浓度的升高而增大,影响因子呈现先降低后增加的趋势.

简介：分析了传统无源干扰装备在作战使用中存在的局限性，指出了吸收型无源干扰材料研究的必要性。详细介绍了膨胀石墨、泡沫云、改性纤维、吸收型箔条等几种吸收型无源干扰材料的性能及研究现状，并指出目前吸收型无源干扰材料在波段覆盖、战术应用以及工程化制备等方面仍存在一定缺陷，需进一步研究探索。

简介：在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼（Li3N-hBN）体系中合成立方氮化硼（cBN）单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂（Li3BN2）组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

简介：采用金属有机化学气相沉积法在Si（111）衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN／Si界面处存在非晶层，俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散，拉曼光谱测试表明存在Si-N键，另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因，同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。

简介：以硬脂酸锌为Zn源、硫化钠为S源,首次采用油水界面法制备出单分散于环己烷和甲苯的ZnS纳米材料,探索有机溶剂、锌源和油酸浓度等对紫外吸收影响的同时,以ZnS为基质,掺杂Mn^2＋和Eu^3＋制得ZnS：Mn^2＋,Eu^3＋发光纳米材料,采用高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）、X射线粉末衍射仪（XRD）、紫外可见（UV-VIS）和荧光分光光度计（PL）对产物进行了表征,紫外和HRTEM测试结果均表明,产物为单分散性,平均粒径为4.3nn;荧光测试表明,产物所发荧光较强,肉眼可观测到明显的橙黄色（585nm）和橙红色（616nm）发光;XRD结果显示,产物结构为立方闪锌矿结构

简介：以Sn8Zn3Bi为研究对象，采用微合金化方法研究了不同含量的Cu元素对其显微组织、钎料合金与Cu基板钎焊后的界面金属间化合物（IMc）层尺寸及焊接接头剪切强度的影响。结果表明，Sn8Zn3Bi-xCu／Cu（x=0．3，0．5，0．8，1．0，1．5）焊接界面IMC主要为层状Cu5Zn8相。随着Cu含量的增加，界面IMC层的厚度逐渐减小，接头的剪切强度逐渐提高，Sn8Zn3Bi-1．5Cu／Cu接头剪切强度较Sn8Zn3Bi／Cu显著提高。经120℃时效处理后，Sn8Zn3Bi-xCu／Cu（x=0，0．3，0．5，0．8，1．0，1．5）焊接接头剪切强度都明显下降，接头断裂方式由韧性断裂转为局部脆性断裂，但添加了Cu元素的钎料界面IMC生长速度较Sn8Zn3Bi钎料慢，因此Cu元素的添加抑制了界面IMC层的生长。