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11 个结果
  • 简介:Moleculardynamics(MD)simulationswereperformedtoinvestigateF+continuouslybombardingSiCsurfaceswithenergiesof100eVatdifferentincidentanglesat300K.Thesimulatedresultsshowthatthesteady-stateuptakeofFatomsincreaseswithincreasingincidentangle.Withthesteady-stateetchingestablished,aSi-C-Freactivelayerisformed.ItisfoundthattheetchingyieldofSiisgreaterthanthatofC.IntheF-containingreactionlayer,theSiFspeciesisdominantwithincidentangleslessthan30o.Forallincidentangles,theCFspeciesisdominantoverCF2andCF3.

  • 标签: 碳化硅 蚀刻 MD 入射角度 分子动力学 稳定状态
  • 简介:共沉淀-浸渍法制备Pt/Co-Ba-Al-O样品。采用XRD,XAFS等手段对样品的微观结构进行了详细的表征。载体经过800℃焙烧后,Co物种主要以四面体配位的铝酸钴相存在。铂物种则以小金属原子簇形式存在,分散度很高。添加钴物种对Ba物种存在形态的影响不大;但改善了氧化铝相的分散度:抑制了金属铂原子簇与载体的相互作用,使Pt在催化剂表面分散更均匀。

  • 标签: 稀燃NOx阱 Pt/Co-Ba-Al-O XAFS 微观结构 共沉淀-浸渍法 分散度
  • 简介:本文在分析了北京同步辐射室4B9B原束线低能分支的构造及弊病后,在不影响束线高能分支性能及总体机械结构的基础上提出了改进方案。文中不仅详细介绍了该设计方案,同时也介绍了97年4月份专用光开始前夕的调试工作及出光后束线的性能测试工作,测试结果完全符合设计要求。该束线在这次同步辐射专用光实验中充分发挥了改进后的优势,取得了令人满意的结果。

  • 标签: 4B9B束线 低能分支 性能改进 北京同步辐射室 X光光束线
  • 简介:利用电子衍射,X射线衍射和荧光光谱等方法研究了LnBaB0O16(Ln=La,Y)的结构特性,LnBaB9O16为单斜晶系,其中LaBaB9O16的晶胞参数a=1.3660nm,b=0.7882nm,c=1.6253nm,β=106.15°,YBaB9O16的晶胞参数a=1.3476nm,b=0.776nm,c=1.6040nm,β=106.38°,荧光光谱研究表明,这两种化合物结构不同,Y^3+在YBaB9O16结构中处于中心对称格位,而LaBaB9O16中La^3+的格位则无中心对称性,Gd^3+部分取代LaBaB9O16:Eu^3+中的La^3+可改善Eu^3+离子的发光性质,LaBaB9O16:Eu^3+在真空紫外区的吸收比较弱,这可能与硼氧比较小有关。

  • 标签: 荧光基质材料 硼酸盐 X射线衍射 实验
  • 简介:本文利用同步辐射角分辨光电子谱研究了f.c.c.Fe与Cu{111}之间的界面。观察到了位于表面布里渊区中K点附近的界面态,表明它是一个有序的界面。垂直出射的价带谱表明外来Fe原子对衬底Cu{111}的能带结构无任何影响。这与互混的Co/Cu{111}的结果不同,表明界面处不存在Fe与Cu原子之间的互混。

  • 标签: 角分辨光电子谱 f.c.c.Fe/Cu{111} 界面 磁控溅射
  • 简介:ThisworkinvestigatedC2F6/O2/ArplasmachemistryanditseffectontheetchingcharacteristicsofSiCOHlow-kdielectricsin60MHz/2MHzdual-frequencycapacitivelycoupleddischarge.FortheC2F6/Arplasma,theincreaseinthelow-frequency(LF)powerledtoanincreasedionimpact,promptingthedissociationofC2F6withhigherreactionenergy.Asaresult,fluorocarbonradicalswithahighF/Cratiodecreased.Theincreaseinthedischargepressureledtoadecreaseintheelectrontemperature,resultinginthedecreaseofC2F6dissociation.FortheC2F6/O2/Arplasma,theincreaseintheLFpowerpromptedthereactionbetweenO2andC2F6,resultingintheeliminationofCF3andCF2radicals,andtheproductionofanF-richplasmaenvironment.TheF-richplasmaimprovedtheetchingcharacteristicsofSiCOHlow-kfilms,leadingtoahighetchingrateandasmoothetchedsurface.

  • 标签: 等离子体化学 放电特性 蚀刻 薄膜 双频率 功率LED