简介：以CaSO4制备得到的CaS为还原剂,研究氧化锰矿的还原-酸浸过程,考察硫化钙与矿石的质量比、还原温度、还原时间、液固比、搅拌速率、浸出温度、浸出时间和H2SO4浓度对氧化锰矿中锰及铁浸出率的影响。结果表明：优化的还原工艺条件为硫化钙与矿石质量比1：6.7、液固比5：1、搅拌速率300r/min、还原温度95°C、还原时间2.0h;酸浸工艺条件为搅拌速率200r/min、H2SO4浓度1.5mol/L、浸出温度80°C、浸出时间5min。在此优化条件下,锰的浸出率达到96.47%,而铁的浸出率仅为19.24%。该工艺可以应用于不同类型氧化锰矿中锰的提取,且锰的浸出率均高于95%。

简介：为预测舰船航空飞行器防护涂层的服役寿命,在现有的老化动力学预测模型基础上,提出了改进的老化动力学模型与神经网络模型两种新的预测模型。对基材为AF1410,表面处理依次为喷丸、喷锌、喷底漆、喷磁漆的试样,进行三亚外部环境（紫外、热冲击、低温疲劳、盐雾）的综合加速试验,采用电化学阻抗谱技术测得了试样涂层腐蚀老化过程中的阻抗模值数据,并利用试验数据针对3种预测模型进行测试。测试结果表明,改进的老化动力学神经网络模型预测精度较传统老化动力学模型明显提高,且神经网络模型预测精度提高程度更明显。

简介：0Cr18Ni9不锈钢薄壁产品在酸洗过程中易发生过腐蚀。本研究采用0.1mm厚度0Cr18Ni9不锈钢带,对酸洗的各影响因素进行试验研究,结果表明：材料状态不同,耐腐蚀能力不同,退火态更易出现过腐蚀;酸液温度、浓度及酸洗的时间均对不锈钢带腐蚀程度和力学性能有较大影响;在含HF的腐蚀剂中酸洗容易使薄壁不锈钢带力学性能降低,造成材料脆化,且HF含量越高对薄壁不锈钢力学性能影响越大。

简介：通过水热法成功合成Co3O4/CuO复合物,并探索十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）对其形貌和性能的影响。用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和氮气吸附-脱附测试表征其微观结构和表面形貌。采用循环伏安、恒流充放电和交流阻抗测试等方法研究样品的电化学性能。结果表明,多孔Co3O4/CuO-CTAB纳米片具有最好的电化学性能,在电流密度1A/g下的比容量达398F/g,而在10A/g时其比容量仍能保持90%。此外,该复合物具有很好的循环稳定性,在2000次循环后容量几乎没有衰减。

简介：通过水热法成功合成Co3O4/CuO复合物,并探索十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)对其形貌和性能的影响。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和氮气吸附-脱附测试表征其微观结构和表面形貌。采用循环伏安、恒流充放电和交流阻抗测试等方法研究样品的电化学性能。结果表明,多孔Co3O4/CuO-CTAB纳米片具有最好的电化学性能,在电流密度1A/g下的比容量达398F/g,而在10A/g时其比容量仍能保持90%。此外,该复合物具有很好的循环稳定性,在2000次循环后容量几乎没有衰减。

简介：采用体视学显微镜和扫描电镜（SEM）结合X射线能谱分析（EDS）研究不同厚度0.1mol/LNa2SO4薄液膜下浸银处理电路板（PCB-ImAg）和无电镀镍金处理电路版（PCB-ENIG）的电化学迁移行为与机理结合交流阻抗谱（EIS）和扫描Kelvin探针技术（SKP）对电偏压作用后PCB金属极板的腐蚀倾向和动力学规律进行分析。研究结果表明,经电偏压作用后,在不同湿度条件下,PCB-ImAg板上银的迁移腐蚀产物数量极为有限,而在高湿度条件下（85%）下,PCB-HASL两电极间同时发现了铜枝晶以及铜/锡的硫酸盐、金属氧化物等沉积物。SKP结果表明,阴极板表面电位明显低于阳极板表面电位,具有较高的腐蚀倾向。建立电偏压作用下PCB电化学迁移腐蚀反应机理模型,并对两种电路板电化学迁移行为差异进行比较。

简介：研究纯金和焙烧金矿电极在25°C脱气搅拌氰化物介质中的活化和钝化行为。在搅拌速度为100r/min的0.04mol/LNaCN溶液中得到的循环伏安曲线和动电位极化曲线显示不同的峰位置和电流密度。动电位测试表明,峰电流密度随氰化物浓度的增加而大幅度增加。pH值从10升高到11导致电流密度大幅度降低,而将搅拌速度从100r/min降低到60r/min导致电流密度明显增大。在有氧条件下,纯金和焙烧金矿电极显示不同的峰位置和腐蚀速率。恒电位法研究表明,当pH值为11时,将电位从1V提高到1.4V,电流密度降低80%,而在1V时,将pH值从11降低到10,电流密度增大到1.7倍,这可能是由于形成了更有效的钝化层。金极化后,在衰减期间的电化学噪声测试（ENM）表明,金在高电位时处于钝化程度更高,呈点状腐蚀特征。ENM结果表明,这项技术有望于更好地应用于金浸出研究。XPS研究证明了钝化氧化物的存在。