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7 个结果
  • 简介:文章系统地综述了近年来纳米改性环氧树脂基复合材料的研究现状。介绍了环氧树脂基纳米复合材料的制备方法和无机纳米粒的表面修饰方法,分析了环氧树脂基纳米复合材料的形成机理和固化反应动力学,概括了此类复合材料的性能特点并展望了环氧树脂基纳米复合材料未来的发展和应用前景。

  • 标签: 环氧树脂 无机纳米粒子 纳米复合材料 固化反应动力学 制备方法 纳米改性
  • 简介:对于有机卤代物的电化学还原,银基纳米催化剂显示出优异的催化活性。采用简单的化学还原法制备Ag-Ni纳米颗粒(NPs),并采用X射线衍射、紫外-可见光谱、透射电镜以及能量散射谱等方法对制备的纳米催化剂进行表征。采用循环伏安法、计时电流法以及电化学阻抗谱在有机介质中研究Ag-Ni纳米颗粒对苄氯还原的电催化活性。结果表明:Ni元素的加入可明显减小Ag-Ni纳米颗粒的尺寸,使苄氯的还原峰电位φp正移且增加Ag-Ni纳米颗粒的催化活性。然而,当Ni的含量大于一定值后,Ag-Ni纳米颗粒的催化活性反而降低。同时,对Ag-Ni纳米颗粒的协同催化效应进行探讨。

  • 标签: Ag-Ni合金纳米颗粒 苄氯 协同催化效应 电化学还原
  • 简介:采用先水热合成(150°C,12h)、后煅烧(1000°C)来实现(Y0.95Eu0.05)2O3亚微米球形和微米板片红色荧光颗粒的形貌可控合成。通过XRD、FT-IR、FE-SEM和PL等检测手段对样品进行分析。结果表明:将尿素与Y+Eu的摩尔比由10增大至40~100,得到的前驱体由碱式碳酸盐亚微米球转变为碳酸盐微米片;经1000°C煅烧所得氧化物能够继承前驱体的形貌特征;板片二维形貌的限制内部晶粒自由生长,使更多的(400)晶面暴露在板片颗粒表面;在250nm紫外光的激发下,荧光颗粒的荧光发射峰位及荧光不对称因子[I(5D0→7F2)/I(5D0→7F1),~11]均与颗粒形貌的相关性不强,但荧光强度呈现明显的形貌依存性;微米板片颗粒的尺寸大,从而其比表面积小,因此具有更高的荧光强度(微米板片在~613nm处的荧光强度为球形颗粒的~1.33倍)。

  • 标签: 发光材料 粉体合成 物理性能的形貌依存性 稀土 光谱学
  • 简介:提出了一种亚微米深度的纯位相型玻璃衍射光栅制作工艺,采用光刻制栅方法对要制作的光栅结构进行了分析;用AUTOCAD绘图软件绘制光栅的排列布局以及MATLAB软件对设计出的图案进行衍射图样模拟,在基于数字微镜的光刻机上进行曝光,由涂覆光刻胶的铬玻璃上得到缩微图案;观察了单色激光的夫琅禾费光栅衍射图样,以确定最终的设计图案;用电子束刻蚀方法得到的铬掩膜板进行常规光刻工艺处理,得到纯位相型的衍射光栅,最后通过对衍射光栅的衍射图案的失效性分析确定最佳的光刻工艺。结果表明:利用光刻制栅方法不仅可以在玻璃上制得纯位相型光栅,同样也可以在硅片、金属等其他基底上制得光栅或其他光学重复单元,方法可行,且材料成本不高。

  • 标签: 亚微米 位相型 衍射光栅 失效分析
  • 简介:为了研究由剧烈塑性滚柱滚压在纯铜表层诱导出的梯度纳米/微米结构特征及其晶粒细化机制,采用SEM、TEM、XRD、OM等方法观察样品距表面不同深度的组织特点和材料特性。结果表明,滚压所引入的纳米/微米结构层厚度超过100μm。近表层的硬度有显著的提高,这归因于晶粒尺寸的减小,所生成的等轴纳米晶为随机晶粒取向且绝大多数晶界为小角度晶界。粗晶通过位错运动细化至几微米;变形孪生是形成亚微米晶的主要机理;纳米结构的形成由位错运动主导并伴随局部区域的晶粒旋转。

  • 标签: 滚压 纯铜 梯度纳米 微米结构 表面纳米化
  • 简介:提供一种新颖简单的银微米线的湿化学制备方法。在反应温度为50℃的条件下,把硫酸亚铁溶液逐渐滴加到含有柠檬酸的硝酸银溶液中,合成银微晶体。采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对所制备的银微晶体进行表征。结果表明:所制备的银微晶体主要由大量的银微米线组成;银微晶体的形态与反应温度有很强的联系;当硝酸银浓度降低时,银微米线的长度和直径都逐渐增大,且较低的硝酸银浓度不利于生成更多的银微米线。降低硫酸亚铁浓度时也出现类似的结果。柠檬酸的用量对银微晶体的微观形态有很大的影响。根据银微米线的形成机理,推断柠檬酸在Oswald熟化形成银微米线的过程中起着非常重要的作用。

  • 标签: 银微米线 硫酸亚铁 柠檬酸 湿化学法
  • 简介:研究Al-Mg-Si合金晶界组成相(Al-Mg2Si及Al-Mg2Si-Si)间的电化学行为和动态电化学耦合行为,提出Al-Mg-Si合金的晶间腐蚀机理。研究表明,晶界Si的电位比其边缘Al基体的正,在整个腐蚀过程中作为阴极导致其边缘Al基体的阳极溶解;晶界Mg2Si的电位比其边缘Al基体的负,在腐蚀初期作为阳极发生阳极溶解,然而由于Mg2Si中活性较高的元素Mg的优先溶解,不活泼元素Si的富集,致使Mg2Si电位正移,甚至与其边缘Al基体发生极性转换,导致其边缘Al基体的阳极溶解。当n(Mg)/n(Si)〈1.73时,随着腐蚀的进行,合金晶界同时会有Mg2Si析出相和Si粒子,腐蚀首先萌生于Mg2Si相和Si边缘的无沉淀带,而后,Si粒子一方面导致其边缘无沉淀带严重的阳极溶解,另一方面加速Mg2Si和晶界无沉淀带的极性转换,从而促使腐蚀沿晶界Si粒子及Mg2Si粒子边缘向无沉淀带发展。

  • 标签: AL-MG-SI合金 晶间腐蚀 腐蚀机理 电化学行为 MG2SI SI