简介:本文分析研究了一种新型发光道路交通标志-LED背投式主动发光指路标志的设计,采用LED阵列作为背光源透过正面镂空的铝制型材和棱镜型反光膜发光,最后粘贴显示字形的深色反光膜,白天完全保留了逆反射标志的性能,夜间主动发光节能环保LED背投式主动发光道路交通标志属于内照式发光标志的一种,不同于传统的逆反射标志和点阵式主动发光标志,将LED背光技术应用在交通标志领域是一种新的技术尝试。采用LED阵列背光源透过反光膜后的形式发光,部分LED失效后不会影响标志的整体亮度大面积LED失效后会造成发光字部分明暗不一,仅影响标志的美观程度,正面显示的内容由反光膜字样确定不受背光影响,安全可靠此类标志亮度均匀、无眩光,能够起到主动显示交通信息、警示驾驶人、降低交通事故发生率的作用,而且色泽均匀、视认效果好,还能够起到亮化、美化城市的作用.
简介:LED是一种高效环保的新型半导体光源,有其它光源无法比拟的优势。在未来汽车照明应用中前景光明。LED可以用串联、并联等不同的方式组合成LED阵列,以满足汽车照明强度的要求。针对LED的发光特性,重点讨论了LED驱动的设计及特点,同时简述了LED目前存在的问题及解决方法。
简介:主动发光道路交通标志作为新型交通安全设施尚缺少具有针对性的LED配光设计,在应用中制约了该类产品的使用效果和性能提升。本文介绍一种以聚碳酸酯为原材料开发出的具备良好防水、抗老化性能的LED多功能光学透镜,测试显示其在可见光波段的透过率大于80%,对LED的光谱特性及色度学指标影响微小,另通过优化配光设计使LED平均光强扩散角缩小约40名,实现聚焦功能。采用该透镜制备的点阵式主动发光交通标志发光更为均匀、柔和,有效提高交通标志的安全视认性能和亮化美观效果。
简介:Ⅲ族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视,形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状,分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题;然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态,包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状,电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势,并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。
简介:采用高温固相法合成系列Eu^2+掺杂的单一基质的白光荧光粉(Sr_(0.95)Mg_(0.05))_3(PO_4)_2.该荧光粉可有效被270~390nm的紫外光激发,激发波长范围与紫外LED芯片相匹配.在激发波长为350nm时,发射光谱中有两个发射峰,峰值分别位于410nm和570nm,对应于Eu^2+的4f65d1→4f7跃迁,是Eu^2+占据了基质中Sr~(2+)的十配位和六配位的两种不同的格位后,形成的两个发光中心.当Eu^2+的掺杂浓度为1mol%时,具有最大的发光强度,继续增加Eu^2+的浓度后,会出现浓度猝灭现象.通过将Eu^2+的掺杂浓度从0到0.01,可以使该荧光粉的CIE色坐标从(0.2595,0.1987)的蓝光区域逐渐移动到(0.3245,03133)的白光区域.基于实验结果和理论分析计算表明,这种荧光粉是一种潜在的用近紫外光激发产生白光LED的荧光粉.