简介：

简介：文章尝试了采用真空二流体蚀刻试做35μm/35μm线路的可行性。经过实验证明:采用DES工艺&搭配合适的蚀刻设备,如真空二流体蚀刻机,可以把细线路制作等级提升到35μm/35μm;能获得大于3的蚀刻因子,局部区域的蚀刻因子更是高达14.99-11.82。此外,3μm铜箔可以获得集中度更高的线宽&更高的蚀刻因子。

简介：All-opticalwavelengthconvertersareexpectedtobecomekeycomponentsinthefuturebroadbandnetworks.Hereatwo-segmentDFBlaserforthefirsttimeisusedasanall-opticalwavelengthconverter.Usingthislaser,all-opticalwavelengthconversionfrom1.3μmtp1.55μmisdemonstrated。

简介：简要说明多层板去环氧腻污和凹蚀的重要性，比较几种去环氧腻污的优缺点。根据试验，确定浓硫酸凹蚀10μm-20μm的工艺，从而满足客户要求。

简介：随着晶片封装技术的不断发展，要求基板线路的精细度越来越高，50μm／50μm以下的COF（ChiponFlex）精细线路将成为未来发展的主流，但精细线路的制作一直是FPC生产上的难点，当线路在50μm／50μm以下时，成品率较低难以满足量产化的要求。本文中以公司的现有设备为基础，通过传统片式生产线，选用12μm铜箔作为基材、15μm干膜作为抗蚀层，使用玻璃菲林进行图形转移，同时通过表面处理、改变曝光、显影和蚀刻参数等，对30μm／25μm的精细线路进行研制，并通过金相切片测试仪、三次元测试仪、AOI（AutomaticOpticalInspector）等对产品进行检查。结果显示，线宽、蚀刻系数和成品率都能达到小批量生产的要求。

简介：M22，乃指沃尔夫冈·阿马德乌斯·莫扎特一生之中创作的（完成了或未完成的）音乐戏剧作品合共二十二部。2006年适逢这位史上最伟大也最著名的音乐天才诞辰250周年，在他的家乡奥地利萨尔斯堡，

简介：你还在怀疑笔记本电脑的性能吗?是时候该改变这个陈旧的观点了。最新搭载了众多超级配件的顶级笔记本电脑已经面世。东芝M30特别版与华硕M6N两款豪华得让人垂涎三尺的本本,定会给大家好看。

简介：1前言近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

简介：

简介：华硕系列笔记本中有12.1寸的轻薄型机器S5N、M5N，有15寸宽屏幕的M6N，在迷你领域有10寸屏幕的S200N，那么既兼顾移动性，又兼顾性能的14寸屏幕领域呢？对了，就是这款M3N了。

简介：银黑相间，如同钢琴键，随着其双声道立体声扬声器传出的MP3音乐，营造出艺术的氛围。

简介：

简介：　　1前言　　1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM为代表的0.4μm器件过渡到以256MDRAM为代表的0.25μm器件.　　……

简介：Superluminescencediode(SLD)moduleswithwidespectrumcharacteristicsarerequiredinfibergyroscopes.A1.3μmbutterflypackagedsuperluminescencediodewiththespectrumwidthover30nmisreportedandrecentadvancesinprocessofSLDisdescribedinthepaper.TheSLDmoduleshavebeenappliedtofibergyroscopes.

简介：去年底，华硕推出了大受好评的S5系列超轻薄型笔记本电脑，那个时候，华硕的产品经理对S5做介绍的时候就提到，未来会有内置光驱的M5系列面世，而且还向我们保证，M5同样轻薄、同样惊艳！当时的S5已经让我们很震撼，但加入了光驱的M5会是什么样呢？会更好？还是会破坏S5完美的曲线？脑子里面打了一个大大的问号。今天，解开这个谜团的时候终于到来了……

简介：AMD日前发布了RadeonR3系列固态硬盘，首次采用TLC闪存，而原来定位主流的RadeonR7系列却直接下架了。

简介：文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

简介：宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μmCMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75MeV·cm^2/mg。

简介：

简介：从亚微米进人到1/4μm时代,VLSI工艺中的平坦化技术与其它的微细加工技术一起被广泛采用.