简介：探讨了二氧化硅表面处理后在覆铜板中的优化应用、工艺条件选择以及二氧化硅对覆铜板性能的影响和改进,初步探讨了添加二氧化硅填料后的FR-4覆铜板的热膨胀系数和孔壁树脂凹缩的改善.

简介：在亚微米的半导体生产制造技术中，二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压，已经成为产品良率的主要影响因素。文章主要针对目前市面上流行的TELAlpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究。通过大量的对比性实验，进行排查与分析，并利用各种先进的实验设备和器材，炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等，找到产生颗粒污染的原因，并且找到解决问题的方案。在减少机台停机时间的同时，提高了机台的使用率，而且改善了颗粒污染的状况，最终获得良率的提升，优化了制造工艺。

简介：本文要解答的问题是:1,二氧化碳雪清洗剂是怎样形成的?它与其它二氧化碳清洗剂有何不同?2,二氧化碳雪的清洗机理是怎样的?3,二氧化碳雪清洗剂有那些实际应用?4,使用二氧化碳雪清洗剂时应该注意那些问题?

简介：液体二氧化碳是一种新的环保型清洗剂，应用在织物干洗上达到了较佳的清洗效果。本文介绍了液体二氧化碳溶剂的性能、洗涤原理和在干洗织物上的应用。

简介：据新华社信息北京2003年7月3日讯据海外媒体报道,台湾金属工业研究发展金属中心开发出高密度二氧化碳精密洗净系统,以满足3C、光电、精密机械等产业对精密洗净制程的需求,并解决制品使用有机溶剂(如CFC、HCFC等)所造成的

简介：一.前言洗衣行业是一个古老的行业,它从最初的传统皂液清洗工艺到采用烃类石油溶剂、氯代烃溶剂的干法清洗技术,经历了不寻常的历程.长期以来,人们一直在寻找一种既无污染又安全高效的适用于干洗的洗涤溶剂.目前一种对自然环境没有破坏、对人体更安全、对织物无损伤的高尖端技术已应用于洗衣行业,这就是以液体二氧化碳为溶剂的二氧化碳干洗技术.

简介：随着对高密度电路板研究的发展,国内大部分PCB生产厂家都力求对产品进行升级,以占领当下国内印制电路板生产市场。因此,实现含二阶盲孔HDI板的高成品率成为的一个关键的研究环节。以CO2激光钻机和龙门式垂直直流电镀线等设备为基础,研究探讨不同类型的HDI二阶盲孔板在实际生产过程中所遇到的技术难点,并提出了相应的可行性解决办法以适应现有设备下的生产能力。

简介：<正>碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200VMOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率,而每安培成本仅为上一

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：

简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：DC40／DC100DVD摄像机；Avid全线产品；Synapse系列广播模块系统；WM-3014波形显示器；DeckLinkHDExtreme高／标清视频采集卡；

简介：常规有埋孔的板树脂塞孔是在板电后进行,而树脂塞孔后削溢胶工序易产生材料不可控涨缩、板翘、露基材等,而消溢胶后为确保线路制作品质需进行减铜和磨板流程,使得此类板制作流程时间长,易产生报废隐患,且增加了电镀铜、磨刷成本.本文通过优化流程,对做成线路的埋孔板直接进行树脂塞孔再压合,取消了塞孔后削溢胶流程,这样大大提高了生产效率、减少制程报废、降低制作成本.

简介：IEEE802．16是为制订无线城域网标准而专门成立的工作组，该工作组自1999年成立以来，主要负责固定无线接入的空中接口标准制订。为了推广基于IEEE802．16和欧洲电信标准组织（ETSI）高性能无线城域网（HiperMAN）协议的无线宽带接入设备，并且确保他们之间的兼容性和互操作性，2001年4月，由业界主要的无线宽带接入厂商和芯片制造商共同成立了一个非营利工业贸易联盟——全球微波接入互操作性（WiMAX）组织。

简介：近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行。而对于碳化硅材料,尤其p型碳化硅材料,漂移层电阻会受到少数载流子寿

简介：介绍了一种利用直流电源进行微盲孔和通孔同时电镀的工艺，同时给出了相关的工艺条件和电镀效果。

简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。

简介：随着PCB制作技术的高速发展，HDI基板布线密度与孔径分布日趋精密化、微型化，顺应HDI成孔加工技术需要，激光成孔技术在国内得到广泛应用。本文针对我国HDI市场生产需要，从目前各HDI厂商所采用的HDI技术入手，阐述了前HDI生产中所使用的激光钻孔技术，并就其激光成孔原理、成孔技术特征、工艺特性及加工过程等方面进行了分析、对比与探讨。

简介：综合评述诸如肖特基势垒二极管、pn结二极管、功率MOS、功率JFET、BJT、GTO、GCT以及功率模块等各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景，指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力，还在于能大幅度降低器件的功率消耗，使电力电子技术的节能优势得以更加充分的发挥；文章还对碳化硅器件在电力电子领域特别是电力变换器方面的初步应用及开发情况也做了简略介绍。