简介:本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(~1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.
简介:2013年2月16日,国家发改委发布2013年第21号令,针对2011年3月27日国家发展改革委公布的第9号令《产业结构调整指导目录(2011年本)》的有关条款进行了修正。第21号令中指出,为更好地适应转变经济发展方式的需要,根据《国务院关于发布实施〈促进产业结构调整暂行规定〉的决定》(国发[2005]40号),国家发改委同国务院有关部门对《产业结构调整指导目录(2011年本)》有关条目进行了调整,形成了《国家发展改革委关于修改〈产业结构调整指导目录(2011年本)》有关条款的决定》,现予公布,自2013年5月1日起施行。