简介:
简介:主要介绍了量子通信的两种远程传态的方案的原理及实验进展,包括分离变量(光子态)和连续变量(光场态)的远程传态,并对两种方案和实验做了比较.
简介:介绍了近些年一些具有代表性的压缩光孤子的实验;通过理论分析,发现这些实验按基本的设计思想可划分为两类,而这两类实验方法归根结底都是利用了光孤子内在的量子特性.
简介:2004年8月24日,设定电信网互联性能基准的更新行规(INDUSTRYCODE)已经由AcA(澳大利亚通信管制局)登记注册。这表明由澳大利亚通信行业论坛(ACIF)制订的行规能够由ACA实施。ACIFC519:2004行规设定了标准电话业务端到端网络性能。这是网络运营商在公众电路交换的固定网和移动网上提供标准电话业务时所
简介:在分析AIGaN/GaN沟道阱中电子迁移率、截止频率fT和噪声性能随电子气密度变化的基础上,研究了沟道电子态随电子密度的变化。发现在高电子密度下电子会向量子限制较弱的退局域态转移。同时还经由热电子隧穿而跃迁到表面态。在低电子密度下,沟道阱产生畸变而蜕化为三维态。运用这一电子态转换模型解释了输运噪声特性随电子气密度的变化。最后指出剪裁沟道右势垒可以弱化高、低电子气密度下输运和噪声性能的衰退。
简介:研究了含有缺陷的类似于谐振腔结构的光子晶体滤波特性,由于这种复周期结构的可调参数多,人们很容易得到在红外波段1550nm3dB附近窄带滤波窗口,透过率可达到近93%,而窗口以外的透过率在0.02%以下,当改变中间夹层厚度时,窄带滤波窗口的通道数和带宽发生改变.因此,它在CWDM中将得到很好的应用.
简介:近年来,采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS(on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。
简介:为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求,研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施,它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说,它受益于新型集成技术,还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑,并示出效率结果,以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较,以表明STripFET^TM的性能优点。此外,还给出许多特殊功能。
简介:上海市无线电监测站自2004年4月以来派出技术人员对上海电信的PHS基站进行抽样检查。受检设备主要集中在准备安装的开箱产品,同时深入中心城区、周边城区和崇明县,对已安装运行的部分设备,按照国家无线电监测中心规定的技术指标进行现场测试。
简介:从NGN标准提出以来,全球许多标准化组织展开了许多NGN的标准化研究工作,对促进NGN标准的制定和完善起到了重要作用。
简介:在目前国际电信业对光纤光缆产品需求不断缩减的局面下,中国成为世界范围内还具备增长潜力的市场之一。本文分析了国内光钎光缆产业的发展历程目前所处的市场局面及未来发发展趋势,详细分析了国内光纤光缆行业应采取的应对策略。
简介:1.空调为什么要清洗空调特殊的工作方式使得空调具有吸尘器一样的功效--抽进室内空气,经过潮湿的蒸发器全面接触后,再吹回室内.
NVIDIA业界基准测试大获全胜
量子通信中远程传态的进展
SRS CSD-07圆形环绕基准解码器
用于量子通信的光孤子压缩态制备方法
澳大利亚更新设定电信网互联基准的行规
GaN HFET沟道中的电子态转换和沟道右势垒剪裁
缺陷态一维光子晶体的滤波特性在CWDM中的应用
沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)——减小漏源通态电阻R DS(on)
第三代STripFET^TM实现了通态电阻与栅极电荷之间的最佳折衷——电信和计算机用的DC-DC变换器的新效率标准
LMDS市场发展分析
NGN运营模式分析
IPSec安全技术分析
PHS基站指标分析点滴
全球NGN标准进展分析
测试技术应用前景分析
Ip通信流量分析
互联互通博弈分析
光纤光缆市场分析
空调清洗市场分析
LMDSA技术发展分析