简介:《模拟电路基础》是一门理论性较强的基础课程,是高职高专院校电子、自动化和机电一体化等专业的必修课。由于模电理论生涩难懂且高职学生基础薄弱,因此教学效果较差。为了适应现代高职教育的特点,培养高素质应用型人才,需要将理论与实践有机融合在一起。以直流稳压电源为例,文章详细叙述了教学内容、教学方式和考核评价的实施与开展情况,具有积极的意义。
简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。