简介:摘要曲面制膜所得的圆柱形金属玻璃釉膜电阻器因烧成曲线不同性能差别较大,对不同方阻的电阻浆料制成的电阻器采用适当的烧成曲线,可获得初值集中,过载性能好,电阻温度系数低的厚膜玻璃釉电阻器。
简介:摘要由于磷元素具有较强的挥发性,作为掺杂剂掺入硅熔体后的全部过程都在大量挥发,尤其是重掺磷超低阻单晶的拉制,不仅掺杂效率低,并且挥发剂量受拉晶时间影响较大,所以在电阻率控制的准确度方面存在非常大的困难。本文主要通过对重掺磷单晶生长过程中的杂质掺杂方式和轴向电阻率控制等技术的研究,实现对重掺磷直拉硅单晶电阻率的有效控制。