学科分类
/ 1
5 个结果
  • 简介:我国第三检测行业已经进入发展快车道,企业面临着'整体把握产业发展大势','精确把握检测细分市场需求','洞悉检测机构发展趋势','科学并购重组以快速扩张业务链','国有检测机构市场化转型','学习国外第三检测机构的成功经验','了解竞争对手动向并先人一步','把握行业发展趋势并抢占投资先机'等一系列亟待解决的问题。因此,国内优秀的第三检测企业愈来愈重视对行业发展趋势的研究,特别是对检测市场需求趋势与检测

  • 标签: 我国检测 检测行业 行业发展趋势
  • 简介:中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯/六氮化硼平面异质结研究取得新进展,研究员谢晓明领导的研究团队采用化学气相沉积(CVD)方法成功制备出单原子层高质量石墨烯/六氮化硼平面异质结,并将其成功应用于wSe2/MoS2二维光电探测器件。

  • 标签: 六方氮化硼 异质结 微系统 平面 石墨 上海
  • 简介:永新股份10月19日晚间披露,为加快市场拓展,深化产品结构调整,进一步完善自我配套,同意公司全资子公司永新股份(黄山)包装有限公司投资新建年产8000吨多功能膜生产线项目。本项目预计投资总额5,600万元,其中:设备投资4.400万元,塔架、厂房改造及安装200万元,铺底流动资金1,000万元,所需资金由永新包装自行筹措解决。

  • 标签: 多功能膜 生产线 黄山 产品结构调整 投资总额 流动资金
  • 简介:据报道,近期,同济大学物理科学与工程学院唐慧丽副教授、徐军教授团队采用自主知识产权的导模法技术成功制备出2英寸高质量氧化镓(β-Ga2O3)单晶。获得的高质量β-Ga2O3单晶,X射线双晶摇摆曲线半高宽27”,位错密度3.2×10^4/m^2,表面粗糙度〈5A,该项研究成果将有力推动我国氧化镓基电力电子器件和探测器件的发展。

  • 标签: 单晶生长 宽禁带半导体 β-Ga2O3 自主知识产权 电力电子器件 表面粗糙度