简介：以正硅酸乙酯和葡萄糖分别作Si源和C源，草酸和硼酸分别作催化剂，采用溶胶一凝胶法制备SiC前驱体，并采用碳热还原法制备纳米SiC。采用XRD、SEM对样品的物相和形貌进行表征。结果表明，用草酸作催化剂制备的前驱体在1550℃制备的SiC是颗粒与晶须的混合体，颗粒粒径为30~50nm，晶须长度为1～3μm，晶须直径为60～100nm；用硼酸作催化剂制备的前驱体其碳热还原温度显著降低，在1400℃就能制备出SiC颗粒与晶须的混合体，颗粒粒径为20~30nm，由于B加入后的抑制作用，SiC晶须的含量明显减少。
简介：通过对不同环境状态下实验数据的统计分析，研究采用简单线性回归分析方法和组合Weibull分析方法计算材料许用值的准确性。研究结果表明，与采用Weibull分布方法相比，采用简单线性回归方法或组合weibull分析方法估算复合材料的B基准许用值，可有效提高许用值的准确度。
简介：葛昌纯，男，1934年3月出生于上海，祖籍浙江平湖。中共党员。1952年毕业于北方交通大学唐山工学院冶金工程系物理冶金专业。1952～1984年先后在冶金部钢铁研究总院冶金室、压力加工室、粉末冶金室工作，历任专题负责人、高级工程师、研究室副主任。
掺B对制备纳米SiC的影响
复合材料B基准值统计方法的对比分析
粉末冶金和先进陶瓷专家、核材料专家北京科技大学教授、博导中国科学院院士、世界陶瓷科学院院士——葛昌纯
