学科分类
/ 1
9 个结果
  • 简介:应用VisualBASIC(VB)计算机编程语言对图根导线计算进行编程设计。探讨了VB编程方法技巧与测量计算有机的结合,程序具有较高的实用性

  • 标签: 测量导线 计算 VB 程序设计
  • 简介:静电实验足中学物理实验中最易失败的实验。本文根据静电实验的特点,从仪器的绝缘材料、环境的湿度和清洁以及实验时应注意的问题作了介绍,以达提高静电实验的成功率。

  • 标签: 静电实验 漏电 绝缘 湿度电离
  • 简介:我们知道,电路图中连接用电器的导线的电阻是可忽略的,而在实际电路中,连接用电器的导线的电阻则不能忽略.并且导线的电阻与其长度成正比,由于欧姆定律反映的是部分电路中电流、电压、电阻三者之间的对应关系,因此,运用它可巧妙地求出长度.

  • 标签: 欧姆定律 用电器 电阻 实际 对应关系 长度
  • 简介:如图(1),一匀强磁场(磁感应强度B随时间均匀变化,已知=K(常矢),长L的直导线垂直于磁场放置,求导线中感生电动势的大小。一、一种常见的错误解法图(1)在垂直于磁场的平面内,以L为边长作正三角形回路,根据法拉第电磁感应定律,回路的总电动势大小为:

  • 标签: 中直导线 导线感生 感生电动势
  • 简介:栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息,是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-SoSon等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS(TR-LDMOS)的RESURF条件,建立器件的栅电荷分析模型,发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURFLDMOS(LR-LDMOS)少13.85%,所需Qg比LR-LDMOS少17.65%;完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上,结合仿真对沟道区不同时刻栽流子分布的描述,更细致地阐述了功率器件在开启过程中的状态变化;并且应用比较分析的方法,解释无源器件对TR-LDMOS开启的时间和功耗所产生的影响。在降低功率器件开启功耗的原则下,得到有助于器件设计的应用性结论。

  • 标签: 栅电荷 开关功耗 绝缘槽 SOI LDMOS RESURF
  • 简介:对“玻璃由绝缘体变成导体”演示实验的改进黄州市堵城镇叶路中学熊志全(436131)初中物理第二册新教材第50页玻璃由绝缘体变成导体的演示实验,按照课本所示电路进行,对玻璃加热时间较长,且不易使小灯泡发光,因而影响课堂的教学效果,为了能迅速有效地完成本...

  • 标签: 演示实验 导体 演示电表 堵城镇 体变 教学效果
  • 简介:稳恒电流在周围空间激发磁场,该磁场对场中的运动电荷以及载流导体施以磁作用力。因为导体的电导率是有限的,要在导线内通有稳恒电流,必须在导线内部维持一个稳恒电场,该电场是由导线表面以及不同材料接头处积累的不随时间改变的净电荷所激发的,这些电荷也激发起导线外周围空间的电场。

  • 标签: 载流导线 稳恒电场 相互作用力 稳恒电流 载流导体 运动电荷