简介：通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金／硅界面的输运过程。其中，对X射线产生的次级电子在介质中的输运，采用了单次碰撞直接模拟方法；对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面，分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下，金／硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明：X射线能量为几十至几百keV时，剂量增强效应最明显，最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金／硅界面的距离增加而增加；金的厚度影响界面附近剂量增强效果，当X射线能量不变时，剂量增强系数随金的厚度增加而增加，并趋于饱和值。

简介：在B3LYP/6-311＋G（3df,2p）水平上对HS和HOO反应中的所有物种进行了几何构型优化和频率计算,采用QCISD（T）/6-311＋G（3df,2p）方法获得了各物种的单点能,构建了HS和HOO反应在单、三重态势能剖面.结果表明,HS与HOO反应体系中存在2种不同的抽氢通道,在单、三重态势能面上生成的产物分别为[1P1（H2O2＋1S）,1P2（H2S＋1O2）]和[3P1（H2O2＋3S）,3P2（H2S＋3O2）].标题反应主要发生在三重态势能面上,优势通道[R→3TS2→3P2（H2S＋3O2）]的活化能为9.99kJ·mol-1.此结果对认识大气硫迁移转变规律具有实际意义.

简介：一、引言知识资本是转化为公司知识产权和智力资产的核心竞争力。在知识经济时代，知识资本已经超越物质资本，成为企业赖以存在和发展的根本动力。

简介：针对光散射中的样品颗粒浓度改变时出现复散射的现象，设计探究颗粒浓度与复散射关系实验。得出结论为颗粒浓度很稀时，光强与浓度成正比，复散射基本不表现。

简介：标题化合物C26H26O5以2,3-萘二甲醛和5-甲基-1,3-环己二酮为原料,在醋酸溶剂中,室温下经搅拌多组分一锅法合成得到.其结构通过单晶X-射线衍射法确定,晶体属单斜晶系,空间群P21,相对分子质量Mr=418.47,晶胞参数a=0.99004（8）nm,b=1.09098（9）nm,c=1.04246（11）nm,V=1.08753（17）nm3,Z=2,晶胞密度Dc=1.278g/cm3,吸收系数μ=0.088mm-1,单胞中电子的数目F（000）=444.晶体结构用直接法解出,经全矩阵最小二乘法对原子参数进行修正,最终的偏离因子为R1=0.0533,wR2=0.1293.在晶体结构中新形成的吡喃环为半椅式构象,而茚中五元环则为信封式构象.