简介：中国爆轰力学专家。1939年12月出生于上海市，中共党员，1963年7月于北京大学力学系毕业后，被分配到二机部第九研究院实验部工作，历任助研、科研组长、研究室副主任、主任、研究所科技委主任等职。

简介：在[2]中已定义了超级幻方，本文将证明只要n是个奇数(n>1),n^2阶的超级幻方就存在。

简介：引入点态非方常数的定义并给出其等价表达形式,同时给出点态非方常数在赋Luxemburg范数Orlicz序列空间和Orlicz函数空间的估计以及在1p和Lp空间的计算值.

简介：本文给出偶阶幻方的一种统一构造法．

简介：

简介：通过一个反例,证明了非方常数为√2的相关猜想.

简介：<正>从1982年秋被确诊为肠癌,孙本旺教授在病床上仍顽强拼搏了将近两年。只要一息尚存,时刻关心湖南省数学学会的活动和研究教育的情况;还身兼中国人民政治协商会议全国委员会委员、中国人民解放军国防科技大学副校长等重要职务,常从医院返校视事;并出版了《伽罗瓦理论》一书,将稿酬捐赠给母校南开大学姜立夫基金会,1983年

简介：我们考虑二阶方程Dirichlet边值问题混合元的超收敛.在正则矩形网格上,采用一阶Raviart-Thomas混合元空间,对有限元解经后处理后,其收敛于精确解的速度从二阶提高到四阶.

简介：记D（x）是使得TD（x，n）存在的最小的数．本文给出D（x）的一个上界．

简介：本文提出了求矩阵A的Jordan标准形的另一方法：利用rank(λ(E-A)^P的结果，得出了对应于特征(λi的Jordan块的阶数和个数，然后求出矩阵A的Jordan标准形．

简介：在相同的反应体系中当ｐｈ值从约９．５调变至１１时分别合成出双中孔ＳｉＯ２和六方中孔ＳｉＯ２材料，并用ＸＲＤ、Ｎ２吸附、ＴＥＭ、ＴＧ／ＤＴＡ和ＦＴＩＲ等测试手段对合成产物进行了表征。实验结果表明，双中孔ＳｉＯ和六方中孔ＳｉＯ２是合成中必然出现的两种不同的中孔物相。与六方中孔ＳｉＯ２相比，双中孔ＳｉＯ２也具有典型中孔材料的特征ＸＲＤ谱图，虽然仅呈现一个易让人产生不完全晶化误解的相对较宽的单ＸＲＤ衍射峰（ｄ＝５．２ｎｍ），但它却给出一种独特的Ｎ２吸附等温线和窄的双峰中孔孔径分布曲线。由于孔壁的无定形及表面活性剂分子与ＳｉＯ２骨架间相似的相互作用，两类材料给出类似的ＦＴＩＲ谱图和ＴＧ／ＤＴＡ曲线。然而，在双中孔ＳｉＯ２的ＦＴＩＲ谱图中９６０ｃｍ处峰强度的微小变化可能意味着在锻烧脱除模板剂后双中孔ＳｉＯ２较六方中孔ＳｉＯ２具有更高的骨架聚合度。更多还原

简介：给出了在一些Shiskin型网格[21,23,19,18]上,利用一个任意次的混合有限元方法在L2-模下得到奇异摄动问题解的最优一致收敛阶的一个统一方法.通过研究一个四阶问题,定常和不定常问题,我们显示了这个方法的一般性.结果显示非传统Shiskin型网格上的误差估计比传统Shiskin型网格上的误差估计更容易得到.但两种网格给出的误差估计是相容的,它们证明了Roos的猜想[21]是合理的.