简介：基于功率MOSFET器件研制了一种能产生高压高速脉冲的发生装置.设计了由超高速运算放大器构成的宽频带放大器和MOSFET互补推挽驱动电路,分析了功率MOSFET器件的开关特性,并讨论了影响其工作速度及工作频率的因素.脉冲发生器输出脉冲幅值最高可达-500V,前后沿时间均小于5ns.脉冲宽度和频率根据输入触发信号进行调节,触发延迟小于30ns,触发抖动小于500ps.
简介：为实现探测器响应率测量中辐射源的稳定红外辐射,利用高温黑体和干涉带通滤光片组合的方法得到了3.8μm中红外辐射,测量了HgCdTe中红外探测器的室温响应率.结果表明,通过上述组合方法获得了均匀的远场窄带红外辐射,可用于精确测量探测器在不同波段的响应率;分析了黑体源温度、干涉滤光片带宽和辐射距离对光功率密度的影响,并通过与其他标定光源的比对,验证了该方法的有效性.
像增强器高速选通脉冲发生器
基于黑体源和带通滤光片的中红外探测器响应率测量方法
