简介：从对电子衰变的实验测量和500Mev中子和质子弹性散射,得到了电荷守恒的微小破坏,并简要地评述了电荷守恒定律所遇到的破坏及认识。

简介：用面积分的方法代替传统的对称性分析方法,求解了点电荷对几种特殊形状平面的电通量问题,给出了普适的表达式。基于这些解析表达式,我们讨论了如下几点：点电荷相对平面处于几个特殊位置时的电通量;点电荷对无限大平面的电通量;点电荷处于平面上的极限情况下的电通量。这些重要结论将进一步明晰与丰富电通量问题的教学研究内容。

简介：基于BLT（BaumLiuTesche）方程,并考虑入射角、极化方向和爆高对线缆耦合效应的影响,对高空核电磁脉冲（HEMP）作用下线缆终端的耦合电流进行了计算,统计得到不同磁倾角下线缆终端耦合电流的变化规律以及峰值电流的概率分布。结果表明,磁倾角较小的地区更易出现高峰值电流的小概率事件,且随着爆高的增加,高峰值电流事件出现的概率会有所增加。

简介：数值模拟中，欧拉方法能计算大变形流场，但不能精确地区分物质界面，拉氏方法的单元边界即为物质边界，因此可以精确区分不同的物质，但当计算单元变形较大时计算精度变差甚至无法进行。如果在流场内不同区域采用不同的计算方法，在计算区域交界处进行合理的数据交换，则既能计算大变形流场又能在流场内保持清晰的物质界面。

简介：提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明：CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999958.

简介：采用理论模拟和IVA(inductivevoltageadder)产生的脉冲X射线,研究了PIN探测器输出电荷随脉冲辐射强度的变化关系.结果表明,当入射脉冲辐射注量是PIN探测器最大线性电流对应注量的16.2倍时,PIN探测器输出电荷仍然与脉冲辐射强度呈线性变化,偏离线性小于5％.

简介：为了更加精确地模拟流动／运动耦合问题，建立了耦合动态混合网格生成、非定常流场计算和六自由度运动方程求解的一体化计算方法，并在统一框架内同时实现了松耦合与紧耦合方法．通过圆柱涡致自激振荡（vortexinducedvibration，VIV）的模拟，对不同时间精度的松耦合和紧耦合算法的优劣及适用范围进行了评估和分析；通过引入附加质量的概念，对耦合算法的稳定性进行了理论分析．研究表明：在流体的密度与物体的密度接近时，松耦合方法是不稳定的，必须采用紧耦合方法．最后利用耦合算法对二维鱼体的自主游动和钝锥三自由度自由飞过程进行了数值模拟，证实了理论分析的结论．

简介：建立了一个基于平均场动力学的微分方程组和反应一扩散模型的双层耦合网络模型,用来分析、预测及评价地球生物与环境的健康问题。在双层耦合网络模型中,根据地球地理和气候分布,将全球划分为九块区域,并以此作为全球网络的节点;同时,七个具有代表性的反映地球健康状况的元素,如人口密度、森林、空气质量、生物多样性等,被挑选出作为元素网络的节点;再通过平均场动力学微分方程,建立并描述各个元素间的联系与相互作用;利用数据确定模型参数,从而完善模型,最后,以此模型完成寻找临界点、灵敏度分析、网络结构分析、引入不确定性等工作。

简介：介绍了用于埋地电缆高空电磁脉冲（HEMP）响应计算的传输线模型,研究了地下透射HEMP环境与土壤电导率及透入深度的关系,计算了埋地1m的电缆端点在短路条件下的感应电流。结果表明：土壤电导率越大,透入深度越深,电场的衰减越大,电缆的感应电流越小;垂直极化波的感应电流在方位角为0°、入射角为45°时达到最大;水平极化波的感应电流在方位角为90°、入射角为90°时达到最大。

简介：旋转刚柔耦合系统在航空航天、机器人、高速机构以及车辆等领域有着广泛的应用,主要描述负载在旋转刚体上的柔性梁的运动。对旋转刚柔耦合系统施加控制使得整个闭环系统达到:1)旋转刚体以预期的旋转角速度运动;2)负载在刚体上的柔性梁镇定。本文将从控制器设计的角度出发,介绍目前在旋转刚柔耦合系统控制方面取得的主要研究成果。

简介：本文利用拉格朗日方法，理论上分析了失谐耦合摆的运动规律，并从实验上观测了弹簧的倾斜因子ε对双摆振动角频率的不同影响，确定了弹簧向下偏离平衡位置时较向上偏离时对两摆角频率的影响大，通过改变弹簧的倾斜因子可以连续调节摆的振动规律。在此基础上，研究了双倾斜弹簧连接双摆时对双摆运动规律的影响，发现当倾斜因子ε1、ε2满足一定关系时，两根失谐弹簧作用的耦合摆振动等效于标准耦合摆振动规律。在实际应用上，可以借助双根弹簧共同调节和稳定耦合振动仪表，提高测量精度。

简介：依据感应耦合等离子体的刻蚀机理,对影响刻蚀的两个重要参数及先进的硅刻蚀技术进行了较深入的研究,并对影响刻蚀效果的参数进行了实验研究,刻蚀出了20μm深,2μm宽的谐振器结构,得到了最佳的工艺参数.

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：若无限长均匀带电直导线（线电荷）与接地平板系统的电场是二维静电场,当求解区域可视为为多边形时,则可应用S-C映射法和电像法为统一模型,求解出线电荷在求解区域所激发的电势。

简介：根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率.该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义.

简介：提出了一个基于约瑟夫森电荷量子比特实现未知三粒子的GHZ态的方案。在这方案中,三对两粒子纠缠态作为量子通道。此外,不需要bell测量。以目前的技术,在该方案中所用到的设备都可以实现。

简介：在激光脉宽的时间尺度内，非平衡是激光靶耦合物理的重要特征。为了深入地研究激光靶耦合产生的等离子体状态以及辐射场的时空特性，考察“三温”模型的适用性，发展了新版的一维平板非平衡辐射流体力学程序RDMG，程序中用多群辐射输运方程描述辐射场的演化，增加了激光加源，在非平衡区求解非平衡电子占据概率方程，在线计算非平衡的辐射发射和吸收系数，其中平均原子模型可以考虑到角量子数层次。下面介绍一个典型的数值模拟结果，计算条件为强度1×10^14W／cm^2，波长0．35m，脉宽1ns的Gauss激光脉冲以与靶面垂直的方向由右向左辐照4m厚的平面Au靶。

简介：在文[1]的基础上．再到了耦合非线性波方程的指数吸引子的存在性。

简介：根据实际应用需求,设计了一种X波段宽带圆波导耦合器。通过理论计算与数值模拟优化,实现频率9.3GHz时,耦合度约为一71.2dB;频率范围为9～10GHz时,耦合曲线平坦度小于0.3dB,可显著降低微波功率测量不确定度。为了提高耦合器的功率容量,对结构进行了改进,在耦合孔处进行了倒圆角处理。倒圆角半径为1mm时,耦合孔最高场强降低了52%,功率容量得到提高。

简介：Undersomegeneralcontinuousandcompactconditions,theexistenceproblemsoffikedpointsanddcoupledfixedpointsforincreasingoperatorsarestudied.anapplication,weutilizetheresultsobtainedtostudytheexistenceofsolutionsfordifferentialinclusionsinBanachspaces.