简介：基于计算机串口通信和功率型金属氧化物半导体场效应晶体管，设计研制了程控产生单次快前沿负高压脉冲的信号发生器。其性能指标为高压脉冲幅度一100～-1000V，脉冲宽度40ns～2μs，脉冲前沿随脉冲幅度和宽度变化，可小于30ns，输出负载为50Ω作为一种模拟源，该高压脉冲信号发生器已用于小功率气体放电管的高压保护特性实验研究中。
简介：利用5V数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及8路3级驱动电路，逐步提升MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号，再经过次级驱动电路，提升为8路中高压驱动信号，加速输出级开关，产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生器工作电源电压为12V，输出电压为50～-200V，输出脉冲前后沿均为1．5ns，输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节，可在最小输出脉冲宽度3ns至直流信号之间变化。脉冲工作时，最大重频为3．3MHz，固有延迟为50ns，触发晃动小于0．2ns，体积为86mm×43mm×23mm。
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