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6 个结果
  • 简介:对国产科学级4T-CMOS图像传感器进行电子辐照实验,考察了暗电流、饱和输出灰度值、暗信号非均匀性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。实验结果显示,随着辐照总吸收剂量的增加,器件的饱和输出灰度值下降,并且暗电流显著增加。分析认为,器件的饱和输出灰度值退化机制与电离总剂量效应引起的退化物理机理一致,辐照使转移栅沟道电势势垒下降是饱和输出灰度值下降的主要原因,而暗电流的增长主要由浅槽隔离界面缺陷和体缺陷造成。10MeV电子辐照后暗电流退化表现出一定的偏置效应,这是由10MeV电子辐照引起的位移损伤所致。

  • 标签: CMOS图像传感器 暗电流 饱和输出 暗信号非均匀性
  • 简介:针对实践中存在的指纹图像错位问题,提出了基于深度学习的错位指纹图像自动识别算法.通过将错位指纹自动检测问题转化为一个四分类问题,搭建了一个深度卷积神经网络并用已知的标签进行有监督学习,将学习得到的模型用于预测给定指纹图像的类别.通过对模型性能的准确、空图识别和错位判正3项指标的评价看出,本识别算法取得了良好的效果.

  • 标签: 指纹图像 深度学习 错位指纹图像
  • 简介:对一款CCD进行了3MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量之间的关系。研究表明:不同注量质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。

  • 标签: 质子 电荷耦合器件 辐射效应 注量率 缺陷
  • 简介:本文在考虑创新应用的边际收益的情形下,建立了一个统一的分析框架,比较了交叉许可与合资研发两种合作创新组织模式下,企业的创新水平及收益,进而给出了两种合作创新组织模式的相对优劣。结果表明:当创新被用于开发同质产品时,合资方式效率更高;当创新被用于开发非竞争性产品时,应该选择交叉许可模式;而当创新被用于开发差异化产品时,合作创新的组织模式选择还与创新的产出弹性有关。

  • 标签: 交叉许可 合资研发 合作创新 边际收益率、
  • 简介:智慧课堂是以关注学生的学习过程,完善学生的人格成长,促进学生的智能发展,提高学生的综合素质为目标的课堂,最终实现以提升学生核心素养、合作探究能力、综合思维能力为指向的智慧发展.

  • 标签: 教学设计 教学研究 课堂 智慧 高中数学 素养
  • 简介:研究一类失效状态为吸收状态及重试为常数的M^[X]/M/1排队模型的主算子在左半实轴上的特征值,证明:当顾客的到达λ,服务员的服务v,服务员的服务完成b,顾客的重试α满足一定的条件时,-α是该主算子的几何重数为1的特征值.

  • 标签: /M/1重试排队模型 特征值 几何重数