简介:为提高太赫兹脉冲的功率测量精度,基于n型硅在强电场下的热电子效应,研制了一种采用过模结构的0.14THz脉冲功率探测器.该探测器由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10、n型硅探测芯片和偏置恒流源组成.首先介绍了探测器的结构及工作原理,给出了相对灵敏度表达式,分析表明过模探测器能在TE1o模式下很好地工作.然后结合国内工艺水平,根据模拟计算结果设计了探测芯片的结构参数,完成了探测芯片的加工和探测器的制作.最后,利用该探测器对0.14THz相对论表面波振荡器的辐射场进行了验证性测量,并与二极管检波器的测量结果进行了对比分析.结果表明,过模探测器的响应时间在ps量级,相对灵敏度约为0.12kW-1,最大承受功率至少为数十瓦,可用于0.14THz高功率脉冲的直接探测.
简介:测量和分析了氟化钡(BaF2)晶体的基本光谱特性;设计并研制了一种反射式紫外带通滤光器,用于抑制BaF2晶体630ns慢响应荧光成分并获取0.6ns快响应荧光成分,快慢成分之比提高了102以上.基于该滤光器和BaF2晶体,研制了ns级时间响应γ射线探测器,可用于强流快脉冲γ射线测量.
简介:主动式活性炭吸附222Rn的方法中,吸附时间不同,222Rn在活性炭盒中的分布不均匀,这对HPGeγ谱仪测量分析中效率刻度产生影响.通过在标准222Rn室进行的主动式双滤膜活性炭吸附实验,分析得到不同吸附时间下HPGeγ谱仪对222Rn子体不同能量特征γ射线的探测效率和222Rn在双滤膜活性炭盒中进出口计数相对差异,拟合得到两者之间的关系曲线,即不同能量特征γ射线下的探测效率与222Rn进出口计数相对差异呈线性关系.通过实验得到双滤膜活性炭盒对222Rr吸附量的拟合曲线值与测222Rn仪实测值相对偏差绝对值小于5%,验证了该方法的正确性和可靠性.
简介:使用像增强型电荷耦合器件(intensifiedchargecoupleddevice,IccD)相机系统时,需要对像增强器的选通时刻、选通宽度以及增益大小进行控制。将现场可编程逻辑门阵列(fieldprogrammablegatearray,FPGA)和专业数字延时芯片AD9501配合使用,可以产生延时和脉宽均可大动态范围、高分辨数字调节的脉冲,同时保证延时精度,从而精确控制像增强器的选通时刻和选通宽度;利用FPGA控制数字电位器MCP42010,调节像增强器微通道板两端高压,可实现对像增强器增益的控制;采用RS485总线方式完成上位计算机与FPGA的远程通信,可实现程控功能。程控电路输出的选通脉冲,其延时动态范围为110ns~4.3ms,脉宽动态范围为0~4.3ms,分辨率均为65ps,脉冲延时抖动的均方根不大于147ps;实现了256挡位的增益调节。
简介:应用于高重复频率、高功率193nm准分子激光器会聚光路中的针孔空间滤波器,除了需要考虑它的材料加工难易、厚度、针孔尺寸等因素外,还需考虑材料抗激光损伤特性。本文利用激光损伤理论中一维热流模型对无限厚和有限厚不同金属样品在高峰值功率193nm准分子激光器照射下的损伤阈值进行了分析。结果表明:铝材料在厚度为1.2μm处比其它金属的损伤阈值高,可达1.16×1010W/cm2,且材料易于加工。利用聚焦离子束技术加工了航空铝材料样品,得到了厚度为1.2和1.5μm的针孔空间滤波器样品。扫描电镜观察其具有较好圆度和内壁粗糙度,基本满足剪切干涉仪对针孔空间滤波器的需求。
简介:通过引入两个函数,讨论了它们的凸性和单调性,由此得到下凸函数的Hadamard不等式的改进,推广了有关文献的结果.又根据GA一下凸函数与下凸函数的关系,得到GA一凸函数的Hadamard不等式的改进与推广.