简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。
简介:今年4月,受总公司委派,笔者随国家技术监督局计量、质量管理学习考察团赴美进行了为期3周的学习考察,在美期间,听取了一系列专家讲座:ISO9000系列国际标准在美国的贯彻与实施、美国的计量质量保证方案(MAP)、美国的实验室队可计划(LAP)、美国的计量管理体系介绍、美国的市场技术监督机制等;实地考察了美国的一些机构,其中包括有政府计量管理部门、权威计量技术机构、具有第三方公正地位的认证公司、大型私营企业、从事计量器具生产的公司及几家独立测试实验室等。此次考察,较为全面地了解了美国计量领域的法律、法规体系、行政管理模式、市场监督机制、企业经营管理中的计量、质量管理方法等,同时也了解到国际上一些较为先进的计量管理思想及模式(如ISOl0012、MAP、RoundRobin及实验室认可等)在美国实施、