简介:《大容量多电平变换器》一书是将清华大学电力电子及电机控制实验室10年来积累的关于高压大容量多电平变换技术的大量文献、理论研究成果和工业应用经验,系统的整理和总结。本书由清华大学李永东教授主编。该书以高压变频器的应用为出发点,结合电力电子电路的基本规律,详细介绍了多电平变换器技术的主电路结构及分类、分析其工作原理以及相应的控制算法,并结合工程实践给出了几个有代表性的实际系统设计实现的例子,如三电平供电矢量控制和直接转矩控制系统的实现,及多电平变换器在高压大容量调速系统和有源滤波系统中的应用等。此外,该书还介绍了目前国际上较新的研究课题,如多电平变换器的通用PWM控制技术等。
简介:DDR内存概念界定DDR内存是一款标准产品,采用了与现有SDRAM168线规格不同的184线结构,其插槽只有一个缺口。从电气结构上看,DDR与SDRAM是兼容的,采用的芯片与以往的KingMax内存TinyPGA封装形式相同,编号也与PC-133的KingMaxSDRAM内存相似。另外,电气规格上DDR内存所需工作电压是3.3V,在工作状态下读写数据,管脚电压变化在3.0~3.6V之间,与SDRAM完全相同。也就是说,相比Rambus,DDR是一种在用户能够接受的基础上进行的改进。DDR内存的规格有PC-1600和PC-2100两种。目前,各厂商推出的支持DDR内存的主板共有以下三款:IwillKA266-R,FIC、TYAN。其中,IwillKA266-R采用ALIMagikl芯片组,FIC、TYAN均为AMD760主板芯片组。DDR内存前景可期2000年底,市场中出现了RambusDRAM售价大幅降低,甚至低于DDR内存
简介:摘要针对大容量电机对电网的影响,电力的大规模使用,对用电负荷也造成了一定的影响,电力的大范围使用增加了电网的负荷。随着现代工业化的不断发展,大功率同步电力设备突显出重要作用,其本身系数和转速比较高,对承载力有一定的要求,在应用过程中需要从实际情况入手,考虑设备的运行形式,根据启动形式和控制机制的要求,对设备进行合理的应用。强大的启动电流会产生比较大的压降,直接降低电网电压,甚至会影响其它电力设备的正常工作,直接对动力变压器产生冲击。因此在应用阶段需要从实际情况入手,对运行方式进行有效的分析,满足设备运行要求。工作人员必须对电网运行方式进行了解,从实际情况入手,做好电力设备的启动工作。