简介：利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了新型稀磁半导体母体YCuSO的能带结构和态密度以及介电函数、反射函数和吸收函数等光学性质.计算结果表明,YCuSO属于直接带隙半导体,禁带宽度约为1.22eV.其费米面主要由Cu3d和S3p层电子构成.YCuSO半导体晶体在80~90nm处存在明显的光损失,在80~350nm区间光反射较大,光吸收主要发生在50~680nm区间,表明YCuSO在红外与远紫外波段具有潜在的应用价值.这些结果为实验室合成基于YCuSO母体、电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体,进而研究其性质提供了依据.

简介：稀磁半导体（DMS）材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明：同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加。该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考。

简介：摘要稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性，并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文论述了氧化物稀磁半导体的研究进展。

简介：摘要氧化物稀磁半导体材料是制备电子自旋器件的主要材料，在自旋电子学相关领域中具有非常广阔的应用前景。本文分析了氧化物稀磁半导体的磁性研究及进展。

简介：采用多孔氧化铝模板,通过直流电化学沉积法成功制备出不同掺杂浓度的Cd1-xMnxS纳米线,用XRD、SEM、HRTEM对纳米线的成分、形貌、结构进行了系统分析,并用SQUID对样品进行了磁性测量,结果表明,制得的Cd1-xMnxS纳米线呈单晶CdS纤锌矿结构,而且沿002方向有择优取向性,没有发现其它含Mn的化合物生成。从ZFC/FC曲线看出样品的居里温度接近于室温,且在低温处存在奇异现象。45K和300K下测量的的M-H曲线显示磁滞现象,测得的矫顽力分别是300Oe和100Oe,说明样品具有铁磁性。样品的紫外-可见光反射谱显示Cd1-xMnxS纳米线的吸收边并不随掺杂浓度x单调变化,而是随着掺杂量的增大能隙先减小后增大。掺杂度在1%处能隙有最小值。

简介：

简介：利用水热法制备了不同Ni含量的ZnO（Zn1-xNixO）稀磁半导体材料，通过XRD、FESEM和VSM对产物的结构、形貌及磁性进行了分析与测试，探讨了反应时间对Zn1-xNixO材料结构及磁性的影响。结果表明，反应时间显著影响Zn1-xNixO的结构与磁性，随着反应时间的延长，样品的结晶质量下降，形貌由六方棒状结构转变为片状结构，同时磁性减弱。

简介：摘要：随着科学技术的不断发展，新型半导体材料的合成和应用一直是材料科学和电子工程领域的研究热点。本文旨在深入探讨新型半导体材料的合成方法以及它们在电子器件、能源转换和光电子学等领域的应用。通过综合分析当前的研究进展，本文总结了各种新型半导体材料的合成策略，并讨论了它们在不同应用领域的潜在价值。最后，本文还展望了新型半导体材料在未来科技发展中的前景。

简介：造成电子元件损坏的原因现在，电子元器件故障除静电直接放电外，附近的其他放电所产生的强电磁场也可能轻易地损坏今天的高速系统，且系统速度越快，越易受到影响。有实验表明：1～3ns的放电就可以产生强电磁场。在1ns的时间内，放电相应带宽就高达300多兆赫，因此，现代高速系统一般都采用VHF／UHF屏蔽及接地技术。

简介：得可加强精益团队建设让客户期待更多(中国上海,2010年7月22日)得可日前宣布,委任精益六西格玛黑带师宗亮小姐为业务改善工程师。这位新成员将加入得可质量部,主要负责精益业务改善计划,以此提高全公司的效益,除此之外,她还将扩展中国和英国的质量管理系统,让这些地区的客户能"期待更多"。

简介：恩智浦半导体宣布推出其最新的基于SmartMX高安全平台的芯片P5CD081，作为行业最高性能的非接触IC芯片，该款高安全芯片适用于电子护照与电子身份识别领域。P5CD081的处理速度是目前非接触智能卡行业标准的两倍，并且通过（CommonCriteria）CCEAL5＋的最高安全级别认证。在世界范围内，恩智浦参与了超过85％的电子护照项目，全球60个国家中有51个国家在使用恩智浦智所提供的非接触智能卡芯片技术，其中包括美国、法国、德国和新加坡。

简介：俄国立研究型技术大学（NUSTMISIS）莫斯科钢铁冶金学院与北京交通大学、澳大利亚昆士兰科技大学和日本国立材料科学研究所的科学家一起，制成厚度为一个分子的氮化硼新型半导体材料。

简介：安森美半导体推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻，整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30％。

简介：<正>美国西北太平洋国家实验室(PacificNorthwestNationalLaboratory)以及奥勒冈州立大学(OregonStateUniversity)的研究人员称,一种新研发的纳米级涂料能大幅提升半导体等器件的散热效率。"在一种‘裸’铝基材的纳米结构化表面,我们观察到以10倍速改善的热传

简介：飞兆半导体推出全新1200VFIELDSTOPTRENCHIGBT系列器件；MIPS科技推出嵌入式市场的多线程、多处理器IP核；NEC电子新款数字电视用系统芯片亮相中国市场。

简介：安森美半导体和Catalyst半导体宣布，已签订安森美半导体收购Catalyst半导体的正式合并协议，交易将全部以股票支付，Catalyst股东每持有1股普通股将获得0．706股安森美半导体普通股。此项交易的股票价值约为1．15亿美元，企业价值约为0．85亿美元。

简介：新型半导体探测器技术为现代化技术的代表，要求将半导体材料应用到探测器的研制过程中，达到提高探测器探测效率的目的。本文以硅微条探测器、电致冷半导体探测器、微结构半导体中子探测器三种新型半导体探测器为例，对其目前的发展状况及未来的发展趋势进行了研究，并对探测器的应用原理与方法等进行了探讨，以期能够为有关人员提供参考。

简介：最新估计表明，到2050年我们所需要的能源可能会达到现有能源的两倍。矿物燃料的有害影响和隐约出现的短缺促使人们最近开始加速寻找环境友好型、可持续发展的新能源。

简介：摘要： 随着现代材料技术的成熟，半导体材料从以硅、锗等元素为基础的半导体材料，发展到今天以碳化硅、氮化镓为基础的半导体材料。现代互联网、新能源等新兴技术的出现使得在短时间内取得长足进步。本文通过分析半导体材料的未来发展趋势，对目前半导体材料的应用现状进行详细分析，同时为半导体材料的合理使用提供有价值的参考。

简介：最近，国际期刊《先进材料》报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生朱礼军的最新研究制备出室温环境中同时具有超高垂直矫顽力、超强垂直磁各向异性和大磁能积MnGa单晶铁磁薄膜。