简介:摘要:具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一,推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步,而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。
简介:全球半导体行业沉积设备供应商AIXTRON凭借其全自动新产品——金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)系统AIXG5+C,获商业杂志CompoundSemiconductor颁授2016年CSHigh-VolumeManufacturingAward奖项。该奖项是业界对国际化合物半导体行业内的关键创新领域进行评判,围绕芯片制造工艺流程,强调对业界发展所作出的贡献。AIXTRON方面表示,AIXG5+C是全球首套完备的MOCVD系统解决方案,可以满足硅基氮化镓LED和功率器件领域的外延类产品需求。该产品融合两项关键性创新,
简介:[摘要]:目的:研究高效高能量密度氮化镓车载充电机系统化集成与样机测试。方法:以高效高能量密度氮化镓车载充电机为研究对象,实施系统化集成测试、样机测试。结果:充电机的前后级均以大电流氮化镓功率管作为主控管,采用全数字控制方式,保证该车载充电机整机效率比相同容量硅器件充电机的效率提高3个百分点,功率密度提高30%以上。结论:与采用Si功率器件的传统车载充电机存在的体积大、效率低等问题。相比,氮化镓功率器件具有更高的开关频率、更小的导通损耗,在高效高功率密度车载充电机应用领域具有突出优势。