简介:摘要静电电荷转移(ElectrostaticDischarge)是发生概率较高的电磁兼容问题,其具有高电位、瞬时大电流特点,对CMOS集成电路、场效应晶体管等敏感性电子元器件具有较大的威胁。因此,本文以ElectrostaticDischarge抗干扰强度测量检验为入手点,从测量检验运行机理、测量检验配置、测量检验气候、测量检验注意事项等方面,分析了ElectrostaticDischarge抗干扰强度测量检验方法。并提出了几点ElectrostaticDischarge预先防控维护措施。
简介:摘要本研究提出了一种高击穿电压AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(DCBL-HEMT),它具有通过在栅极和漏极之间的钝化层中加入两个负电荷区形成的双电荷区势垒层结构。负电荷的引入可以氟等离子体处理实现。相较于普通钝化层结构和场板结构的晶体管,具有双电荷区阻挡层结构的晶体管沟道中的电子被势垒层中的负电荷耗尽。栅边缘的电场集中得到改善,沟道层出现两个新的的峰值电场,使电场分布更加均匀。双电荷区势垒层结构可以调节沟道层中的电场分布,有效地提高器件的击穿电压。通过sentaurus仿真软件对器件的结构和双电荷区进行优化,最终得到了284V的击穿电压。
简介:摘要:能够同时适用于射频识别、全球微波无线互联网和无线局域网这几大主流物联网通信技术标准的宽频天线的设计要求越来越高,比如体积小、成本低等,而微带天线体积小、剖面低且可集成化程度高,适合大批量生产,但其频带较窄,使用范围受到限制。为此,提出了一种紧凑型宽频带微带贴片天线。该天线引入了 L型缝隙和三角形缝隙,仿真结果表明,天线- 10dB阻抗带宽可达到 100%,其工作频带为 1. 5GHz~ 4. 3GHz;轴比带宽为 3. 4GHz~ 3. 8GHz,圆极化带宽为 11%;在该范围内的增益都在 3dB以上 ;整个工作频带范围内都实现了宽频带、高增益等特性,适用于射频识别、蓝牙、 WLAN等频段。
简介:摘要能够同时适用于射频识别、全球微波无线互联网和无线局域网这几大主流物联网通信技术标准的宽频天线的设计要求越来越高,比如体积小、成本低等,而微带天线体积小、剖面低且可集成化程度高,适合大批量生产,但其频带较窄,使用范围受到限制。为此,提出了一种紧凑型宽频带微带贴片天线。该天线引入了L型缝隙和三角形缝隙,仿真结果表明,天线-10dB阻抗带宽可达到100%,其工作频带为1.5GHz~4.3GHz;轴比带宽为3.4GHz~3.8GHz,圆极化带宽为11%;在该范围内的增益都在3dB以上;整个工作频带范围内都实现了宽频带、高增益等特性,适用于射频识别、蓝牙、WLAN等频段。
简介:摘要随着社会的快速发展,中国的所有企业都将有更大的提升空间。在战略管理和项目管理相结合的过程中,需要有效管理和控制有效管理,使战略管理和项目管理的发展与现代经济变革相适应。从而实现战略管理和项目管理的持续稳定发展,保持战略管理和项目管理的发展速度和竞争力。它为进一步加强战略管理和项目管理的内部控制提供了发展思路。