简介:Varian500-MSLC离子阱液相色谱/质谱所采用的SelecTemp技术的特征是,大气压电离源(API)电子掌控能力的特点,该技术能够在一个完整的分析流程中,通过控制温度分布,为梯度液相分离过程制造最优化的干燥气体。SelecTemp使得方法的设置及开发更加容易,并且可以自动记录数据文件中的所有参数。增强电容技术(ECC)则增加了可以被同时分析的离子数,能够提高灵敏度并降低背景干扰。这些特征有利于对热不稳定化合物的分析,包括制药产品和药物代谢物。全套500-MS包括MS工作站软件、HPLC设备、以及综合的串联HPLC柱。
简介:摘要:由于工业化和城市化的发展,环境污染问题日益突出。重金属是环境中存在的主要污染物之一,由于其毒性和非生物可降解性以及在环境中积累的能力而成为一个世界性的问题。因为人为活动(如采矿、冶铁、工业化、农业活动以及自然活动),某些重金属造成了一定的环境污染。重金属污染是世界范围内备受关注的问题,多种重金属离子引起的毒性比单一重金属离子引起的毒性更为危险和突出。如今,产生的全球健康问题日益严重。在生物系统中,重金属改变细胞器和细胞膜、线粒体、溶酶体等成分,导致癌症和凋亡(程序性细胞死亡)。而铅、汞、铬、镉和砷等更是环境中毒性最大的元素。因此,重金属离子的检测技术极为重要。
简介:本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(~1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.
简介:介绍了Penning阱存储离子的探测原理以及离子谱的探测灵敏度与品质因数的关系理论分析结果。在实验中考虑到存在最小阈值的情况下对得到的离子谱进行分析,结果表明:离子谱探测灵敏度与谐振回路Q值的平方成正比关系。
简介:目的:研究阿奇霉素在人尿中的主要代谢产物。方法:受试者口服阿奇霉素后收集0~144h尿样,经StrataC18-E固相萃取小柱分离纯化后,采用液相色谱-电喷雾离子阱质谱法(LC/ESI-MSn)对样品进行分析,通过比较空白尿样和给药后尿样的总离子流色谱图和选择离子监测色谱图,分析可能的代谢产物。结果:在人尿中共发现了8种代谢产物,通过与得到的代谢产物对照品比较,鉴定出2种代谢产物的结构,并推测出其他6种代谢产物的化学结构。阿奇霉素在人体内的主要代谢途径包括O-去甲基、N-去甲基、N-去甲基后去红霉糖和羟基化。结论:本研究为深入了解阿奇霉素在人体内的代谢情况提供了可靠的方法和参考依据。
简介:采用反相高效液相-电喷雾离子阱串联质谱法对由乙醇提取的黄连生物碱进行了研究.优化出了反相高效液相色谱分离黄连生物碱的条件:流动相为V(乙腈)∶V(H2O)(三乙胺2mmol/L)=30∶70;柱温为30℃;流速为0.5mL/min,并结合电喷雾串联质谱检测出了黄连生物碱中的小檗碱、药根碱、巴马汀、黄连碱以及微量的表小檗碱和木兰碱,利用小檗碱和表小檗碱的CID数据分析确证了它们的结构,并利用电喷雾离子阱串联质谱研究了木兰碱在正离子检测方式的多级串联质谱,对其碎裂机理进行了解释.
简介:目的:研究埃坡霉素D在人尿中的主要代谢产物。方法:受试者6名静脉滴注埃坡霉素D,收集0~72h尿样,经SPE固相萃取小柱分离纯化后,采用液相色谱-串联电喷雾离子阱质谱法(LC—MS^n)对样品进行分析,通过比较空白尿样和给药后的尿样的总离子流色谱图和选择离子扫描色谱图,分析可能的代谢产物。代谢产物的结构鉴定主要依据代谢产物的各级质谱图与原药的各级质谱图的相关性推断所得。结果:在人尿中共检测到11种主要的代谢产物,根据所提供的代谢产物标准品鉴定出3种代谢产物的结构,代谢方式主要有氧化、还原、水解和结合反应。结论:本方法选择性好,为深入研究埃坡霉素类药物在人体内的代谢规律提供了可靠的方法和可参考的依据。
简介:文章对0.5μm/40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用,N阱电阻的寄生效应不可忽略,所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性,并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础,用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型、此模型适用于各类仿真器,具有一定的通用性.
简介:采用PECVD技术在1.55μnInGaAsP-InPMQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5~74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.
简介:考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布,给出A1GaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15~45℃温度范围,其模式增益具有低的偏振相关性(2%以内);当注入载流子浓度从2×10^24m^-3。增大到3×10^24m^-3时,模式增益逐渐增大,且能在一定温度下保持低的偏振相关(3%以内)。