简介：<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong（TriQuintSemiconductor,USA）//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连（3MI）0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2（2.8×2.2mm）,32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达

简介：摘要：当前，为解决由于标准缺失而导致的维预测性维护流程不清晰、预测模型构建不规范、关键参数选取标准不统一、导致预测结果不准确等问题，本文在分析集成电路封装关键设备远程预测性维护标准需求和国内外标准现状的基础上，开展集成电路封装关键设备远程运维预测性维护标准研究，包括基本流程要求、数据采集与处理要求、状态监测要求、故障模式识别要求、维修决策优化要求，并介绍了项目研究过程中突破的一些关键技术。

简介：摘要：随着社会的发展，数字经济时代的底层支撑，集成电路在国际大国竞争的背景下越来越具有战略性质。在中美战略博弈、新冠疫情和地缘政治环境变化等多重因素叠加作用下，实现集成电路产业的供应链安全和弹性成为各方竞争的焦点。针对国际和国内新形势深刻演变，推进我国集成电路产业高质量发展，成为新时期的鲜明主题。

简介：摘要：随着社会不断进步，各行各业也不断发展。如今通信技术飞速发展，对21世纪的通信网络提出了更高的要求。集成电路技术对通讯领域的进展具有重要作用，其中集成电路的基本组成部分是半导体元件。这种技术已经在通讯领域广泛采用，并在本文中进行了深入的分析。我们对集成电路技术的演化和实际应用进行了研究和探讨，并详细描述了其潜在应用前景。

简介：摘要:集成电路产业是一个国家的命脉，与社会的发展、国家的安全有着极为密切的关系。就我国目前的IC制造技术来看，与国外先进技术尚且存在一定距离。因此，提高IC制造水平是当务之急，能为我国IC进军高水平精密制造创造条件。

简介：本文根据2004年国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD’04)的论文内容对功率集成电路制造技术的近期发展进行了简单的概述。

简介：一、集成电路的发展1959年，在一次美国无线电工程师协会IRE（InstituteofRadioEngineers）的会议上，得克萨斯仪器公司展示了他们研制的两块电路，电路的所有元件都用同一块锗材料制作，并用金属导线加热熔接而成。

简介：摘要集成电路产业是一个国家的命脉，与社会的发展、国家的安全有着极为密切的关系。就我国目前的IC制造技术来看，与国外先进技术尚且存在一定距离。因此，提高IC制造水平是当务之急，能为我国IC进军高水平精密制造创造条件。

简介：摘要中国电子技术的研发不断出现新成果并在行业领域中普遍应用，推动中国的集成电路市场规模化发展。集成电路是微型电子器件中的重要组成部分，中国要更快更好地发展集成电路产业，就要针对相关设备市场进行分析，并将有效发展战略制定出来。本论文针对集成电路关键设备市场进行分析并提出发展战略。

简介：摘要一般来说，集成电路其本身可以分为CMOS与TTL两类电路类型，CMOS具有较强的工作性能，并且其功耗较低，而TTL电路类型则具有更快的运行速度。CMOS电路由于其本身较强的性能特点，现阶段已经广泛地应用于集成电路的设计当中。CMOS集成电路在设计过程中，需要对于其电源、驱动、输入输出端与接口等设计时要予以重视。

简介：摘要：集成电路设计是一项系统而复杂的工程，经历需求分析、原理图设计、仿真验证、版图设计到后端工艺制造等多个关键阶段。工程师在设计过程中依赖于先进的EDA工具、电路仿真软件和版图设计工具，以提高效率、确保性能，并满足制造要求。深亚微米工艺、三维集成、量子电路和人工智能是先进技术在设计中的应用，推动集成电路技术不断创新。这些工具和技术的不断演进为设计者提供了强大支持，推动集成电路领域的不断进步。

简介：摘要：随着电子技术的不断发展，我国社会很多领域都开始应用集成电路，而且多数现代电子设备都使用集成电路。如果集成电路发生故障，电路就必定无法稳定工作。基于此，本文主要概述了集成电路，而且分析了集成电路的故障分析和检测方法，希望可以为有需要的人提供参考意见。

简介：摘要：本文旨在探讨集成电路制造工艺的最新进展与未来趋势。随着科技的发展，集成电路技术已成为推动现代信息技术发展的核心力量。从纳米级制程到新材料应用，集成电路制造工艺不断突破极限，提高了芯片的性能和集成度。本文将详细介绍集成电路制造工艺中的光刻、蚀刻、离子注入等关键技术，以及极紫外光刻、堆叠晶体管等新兴技术，为相关领域的研究和产业发展提供参考。

简介：摘要：本文旨在探讨集成电路制造工艺的最新进展与未来趋势。随着科技的发展，集成电路技术已成为推动现代信息技术发展的核心力量。从纳米级制程到新材料应用，集成电路制造工艺不断突破极限，提高了芯片的性能和集成度。本文将详细介绍集成电路制造工艺中的光刻、蚀刻、离子注入等关键技术，以及极紫外光刻、堆叠晶体管等新兴技术，为相关领域的研究和产业发展提供参考。

简介：摘要：集成电路在我们日常生活中扮演着越来越重要的角色，而电子设备的工作环境是一个非常复杂的系统，在这个系统中，静电和电磁干扰是非常常见的问题。当电子设备被这些问题困扰时，静电放电（ESD）会导致电子设备发生故障甚至损坏。在许多情况下，静电放电对集成电路产生干扰，如信号完整性问题和逻辑电路错误。为了防止这些问题对电路造成严重损害，有必要了解ESD的基本原理并掌握，同时做好防护措施。本文将从静电放电的基本原理和基本防护措施两个方面入手，详细介绍集成电路ESD防护措施。

简介：摘要当今社会已进入信息技术时代，集成电路已经被广泛应用于各个领域，典型的集成电路制造过程可表示如下

简介：

简介：CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应（Latch—up）是指CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁.闩锁效应已成为cMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上，EI～JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准，但只作为草案，并没有正式作为标准公布，我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准，大家都是在JEDEC标；住的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。

简介：摘要：看现代信息技术社会，发展的核心还是现代微电子科技，0.5硅导电材料仍以现代微电子科技为主。大直径单晶硅面板的生产是进一步集成集成电路的基石，如何有效控制其差异点，二级缺口仍有待克服重大技术挑战。大型集成电路的科技生产是发展中的技术，只有掌握最先进的技术才能在国际竞争中占据国际市场。但是，由于缺少一些材料，新元件设计技术的原理和0.5导体的先进新技术的开发仍在探索之中，集成电路制造技术的水平也将继续提高到新的水平。笔者结合自身多年工作经验，本次主要针对集成电路制造工艺探析，展开深入论述，所得文献与同行业人员共享，望对行业的前进起到一定的促进作用。

简介：摘要：看现代信息技术社会，发展的核心还是现代微电子科技，0.5硅导电材料仍以现代微电子科技为主。大直径单晶硅面板的生产是进一步集成集成电路的基石，如何有效控制其差异点，二级缺口仍有待克服重大技术挑战。大型集成电路的科技生产是发展中的技术，只有掌握最先进的技术才能在国际竞争中占据国际市场。但是，由于缺少一些材料，新元件设计技术的原理和0.5导体的先进新技术的开发仍在探索之中，集成电路制造技术的水平也将继续提高到新的水平。笔者结合自身多年工作经验，本次主要针对集成电路制造工艺探析，展开深入论述，所得文献与同行业人员共享，望对行业的前进起到一定的促进作用。