简介:SiGe(硅锗合金)BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。
简介:文章首先详细研究了D类音频放大器和相关的BiCMOS的基本原理和结构,并在此基础上综合现阶段国内市场对D类功率放大器的需求,开发了基于0.6μm特征线宽、双层多晶、双层金属的多晶发射极BiCMOS工艺的D类功率放大器。该D类音频放大器,在5V电压下可以以1.4W/Ch的功率驱动阻抗为8的负载。它同样可驱动阻抗为4的负载,5V电压下提供的最大功率为2.1W/Ch。同时还详细描述了前置音频放大器,三角波产生电路、比较器,死区控制电路,输出驱动电路等子模块的设计内容。电路在Cadence环境下进行设计和仿真验证,经过仿真表明电路设计性能良好,符合设计要求,可广泛应用于便携式电子产品。
简介:LJ20061009亚沸蒸馏制备超净高纯盐酸工艺条件的研究[刊]/孙建平(上海氯碱化工股份有限公司。上海200241),方芳(华东理工大学化工学院,上海200237),等∥氯碱工业,2006,(1):30—34介绍了一种制备超净高纯盐酸的工艺路线:以优质工业盐酸为原料,经过蒸馏、过滤、洗涤、吸收、亚沸蒸馏,得到的超净高纯盐酸中主要金属离子的质量分数均小于1.0×10^-10。对亚沸蒸馏提纯技术中影响产品产出速率以及产品浓度的工艺条件(包括液面温度、冷却水流量、进料速率以及进料浓度)进行了讨论。