简介：开关稳压电源瞬态分析的核心问题是建立一个恰当的模型。瞬态分析包括大信号分析、小信号分析和直流分忻。系统瞬态分析和设计（综合）的传统方法是频域法，在复频域内研究分析开关电源的瞬态性能，如：稳定性、鲁棒性、快速性和对输入电压或负载的抗扰动性等。给出了电压型控制的开关电源单环系统的频域模型，以及系统的频域分析、设计（综合）方法。讨论了电压控制器（补偿网络）的参数选取及双环（电流型）控制的开关电源建模．

简介：开关稳压电源瞬态分析的核心问题是建立一个恰当的模型。瞬态分析包括大信号分析、小信号分析和直流分析。系统瞬态分析和设计（综合）的传统方法是频域法，在复频域内研究分析开关电源的瞬态性能，如：稳定性、鲁棒性、快速性和对输入电压或负载的抗扰动性等。给出了电压型控制的开关电源单环系统的频域模型，以及系统的频域分析、设计（综合）方法。讨论了电压控制器（补偿网络）的参数选取及双环（电流型）控制的开关电源建模。

简介：2015年4月22日，英飞凌传感器媒体见面会于上海圆满结束。英飞凌科技股份有限公司汽车电子事业部传感与控制业务部副总裁RalfBornefeld对外发布针对工业应用的全新产品——T092霍尔开关。

简介：医疗仪器、焊机和等离子切割机用电源的市场在不断扩大，这些设备工作在20～50kHZ或更高的高频范围。本文讲述了近来开发的、用于这一高频领域的IGBT模块的设计理念。由于在这些应用中工作频段为高频范围，因此器件的开关损耗（开通、关断以及反向恢复损耗）是主要的功耗。通过降低背P＋层载流子密度（注＊＊-见正文），减小IGBT芯片中元胞的重复步距，并优化IGBT／FWD通态电压与开关损耗之间的折衷关系，可以得到更低的开关损耗。因而，这种新开发的IGBT模块的总功耗比标准IGBT模块（第5代系列）降低了25％。使用这种模块，能进一步提高效率、实现系统的小型化。

简介：英飞凌（Infineon）公司的CoolMOSCS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。

简介：本文针对牵引逆变器供电的交流传动系统带来的噪声问题,给出一种随机开关频率与空间电压矢量调制相结合的降噪方案,即随机开关频率SVPWM方法（RSVPWM）。首先对RSVPWM的频率变化范围进行理论分析,在此基础上利用Matlab/Simulink完成随机频率三角载波的建模,建立基于RSVPWM牵引逆变器仿真模型,分别对传统SVPWM和RSVPWM进行仿真分析。结果表明,RSVPWM使谐波噪声频谱明显展宽,达到了降噪目的。

简介：以天通公司生产的EC49型和ET35型磁芯在彩色电视机电源部分的应用为例，分析开关电源的工作原理及功率软磁铁氧体磁芯的主要性能对开关电源的影响。

简介：本文介绍高压SPT、（软穿通）-IGBT器件的开关自箝位模式，并且引入一种现有短路过流保护能力以外的、器件关断过程中的过压保护特性。IGBT结构中的这种新的保护特性将为那些正在寻找可靠、经济的应用IGBT的高压解决方案的系统设计者提供一个全新的前景。

简介：传统开关磁阻电机（SRM）捌速系统的位置传感器对其推广应用带来了诸多限制，如结构复杂程度和系统成本提高、可靠性和坚固性降低等。鉴于滑模观测器对SRM内部非线性和外部扰动的良好的自适应性和鲁棒性，提出了一种基于滑模观测器的无位置传感器控制策略。以TMS320F2812DSP为控制核心对12／8极的开关磁阻电机进行了实验验证，证实了无位置控制策略的可行性和有效性，转矩脉动小、输出转矩大，具有良好的动态性能。

简介：TinySwitch-Ⅱ系列TNY264－268IC是智能型多控制功率的开关电源控制器件，其综合性能与成本超过前几代。本文介绍该系列电路的性能及应用。

简介：本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。

简介：在Bertotti分离铁耗计算模型的基础上,结合标准正弦供电时电机损耗,推导PWM控制逆变器供电下异步电机损耗的计算模型,该模型主要体现了逆变器参数与电机损耗之间的关系。在大功率和低开关频率的铁路系统中,利用上述模型更深一步地分析与总结了恒磁通和恒功率下铁损随运行频率与逆变器参数的变化规律,着重研究了低开关频率下同步调制策略对电机铁耗的影响,以一台7.5kW的电机铁损计算为例,验证了该模型的有效性与可行性,为大功率牵引传动系统电机效率提升的研究提供了参考依据。

简介：在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

简介：介绍并评论了DC-DC变换器早期理论的代表性著作——美国Moore博士1966年发表的论文"DC-DC变换网络的基本问题"。回顾了国际电力电子学术活动进展的历程,分析了这篇论文的时代背景及其特点。

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：日前，VishayIntertechnology,Inc（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出可在1.5V-5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SiP32459。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。