简介：

简介：1997年eupec制造出了它的第一个具备完整保护功能的8kV光直接触发晶闸管。自那时起，eupec售出了10000多只不同尺寸和不同阻断电压的光直接触发晶闸管(LTT)。LTT由于阻断电压高的显著优点和易于实现光触发而被用于高压直流输电(HVDC)。LTT集成了多种保护功能，因此不再需要电触发晶闸管(ETT)的外部保护电路通常所需的昂贵而灵敏的电子元件。LTT用在需要晶闸管串联的高电压应用中。典型的例子有HVDC装置、静态VAR补偿器(SVC)、中压驱动中的变流器和软启动器以及各种脉冲功率应用。为了展示LTT的优异性能，首先需要关注的是系统成本和可靠性。

简介：日前，美国第一台使用下一代互联网协议IPv6的超级计算机正式投入使用。

简介：

简介：1．适用范围这个标准是对应表面贴装部品组装于印制电路板上，使用标准焊膏评价SMD可焊性的试验方法之规定。

简介：反向阻断型IGBT（RB-IGBT）是一种具备承受正反向电压能力的新型器件，以它为基础，本文研究了一种4kW，可控相移全桥零电流关断（ZCS）DC/DC功率变换器。本文首先简单介绍了反向阻断型IGBT器件和这种功率变换器的理论分析，如工作阶段分析和零电流关断的条件，随后给出了在4kW变换器样机所得到的实验结果。

简介：

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。