简介:利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍(NiO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCONRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明:氧化时间为60min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过PhillipsX’Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,KeysightB1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2V和-2V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。
简介:为了减小开关电源中的电磁干扰(EMI),研究了单片开关电源中的频率抖动技术,并简要介绍了频率抖动技术及其原理。设计一个具有频率抖动功能的弛张振荡器,分析了以弛张振荡器原理为基础具有频率抖动功能的振荡器结构设计和原理。通过HSPICE仿真分析电路频谱,结果表明频率抖动技术能有效削减方波的各次谐波幅值,从而达到抑制电磁干扰的效果。重点从抖动范围、抖动周期两方面讨论频率抖动模型,频谱对比分析结果表明抖动范围±7%、抖动周期为128T的抖动模型,其谐波至少下降6dB以上,高次谐波的峰值下降更为明显,满足6dB工程裕量的要求,能有效抑制电磁干扰。