简介：采用双级级联单程放大实现高增益、低噪声的C波段掺铒光纤放大器(EDFA);采用双级级联双程放大实现高增益、超平坦的L波段EDFA.在此基础上,采用并联结构实现了30dB以上的高增益、3dB带宽为57nm的低噪声宽带EDFA.

简介：北京博达微科技有限公司（PDA）日前宣布出展中国天津第22届IC设计年会（ICCAD），展台号为#B73，并展出最新推出的新一代噪声特性测量仪器NC300，NC300基于优秀的架构设计，系统集成化高，不依赖任何其他仪器，安装便捷，即插即用，多类型器件支持：MOSFET、MOSSOI、BJT、Diode、Resistor，以及SRAMCell等客户定制电路。

简介：<正>TriQuintSemiconductor公司新推出三款Ka波段VSAT应用的低噪声放大器(LNA)IC,即TGA4506,TGA4507以及TGA4508。TGA4506在1.2mm×0.8mm×0.1mm封装中工作频率为20～27GHz,典型噪声系数为2.2dB,增益为21dB,输出功率为+12dBm。TGA4507在1.86mm×0.85mm×0.1mm封装中工作频率为28GHz～36GHz,典型噪声系数为2.3dB,增益为22dB,输出功率为+12dBmP—1dB。TGA4508在1.7mm×0.8mm×0.1mm封装中工作频率为30GHz～42GHz,噪声系数为2.8dB,增益21dB,输出功率为+16dBmP—1dB。

简介：<正>AnalogDevices,Inc.近日发布三款全新的锁相环(PLL)器件ADF5355/ADF4355-2/ADF4155,其中一款具有业界最宽的频率覆盖范围和最低的压控振荡器(VCO)相位噪声,且在单个器件中实现这些性能。ADF5355PLL具有同类最宽的55MHz至14GHz频谱范围;而ADF4355-2PLL的频谱范围为55MHz至4.4GHz。这些器件可供需要单片高性能宽带频率合成器的RF和微波通信系统

简介：超宽带技术是一种无载波通信技术,利用纳秒至微微秒级的非正弦波窄脉冲传输数据,相对于窄带技术,使用超宽带技术进行无线传输具有很多优势。文章介绍了一种基于0.18μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。结合计算机辅助设计,可以看出经过优化后其S11和S22在3.1GHz~10.6GHz范围内都小于-10dB,而正向增益S21根据-3dB带宽计算可得其符合要求的频率范围达到2.4GHz~10.4GHz,噪声系数NF在2.8GHz左右达到最低值1dB,平均在2.5dB,可以认为是比较低的。整体而言电路符合UWB技术所运用范围。

简介：<正>恩智浦半导体NXPSemiconductorsN.V.近日宣布推出SiGe:C低噪声放大器(LNA),进一步提高了GPS信号的线性度、噪声系数以及GPS(包括GLONASS和伽利略卫星定位系统)的接收效果,同时继续保持恩智浦在此类产品市场上的体积最小。BGU700xLNA产品仅需两个外部元件,节省50%的PCB面积和10%的器件成本。

简介：现有的传感器配准算法主要有两大类,一类是基于立体投影的二维空间配准技术,这类方法在投影时扭曲了数据,且无法估计俯仰角系统误差;一类是基于地心坐标的三维空间中的配准技术,这类方法由于在计算时很少考虑到测量噪声对传感器系统误差估计产生的影响,实际的估计效果较差。为此,通过在地心坐标系下对系统进行建模,提出了两种考虑测量噪声的三维空间传感器配准算法：一种基于合作目标,一种基于公共量测。最后通过蒙特卡洛仿真验证了算法的有效性。

简介：文章实现了一种应用于串行通信中的抗噪声接收电路的设计。UART被广泛应用于在远端设备之间进行串行通信，传统接收电路在位周期的中央对信号进行采样，但是由于各种随机噪声的干扰，会引起数据采样错误，造成通信出错。文章提出的设计方法是利用一个累加器在一个特定窗口周期内对串行数据进行采样并累加，再根据累加和判断出窗口期内正确数据位，从而滤去串行线路上的噪声得到纯净的串行数据，这大大增强了串行通信的可靠性。文章利用Quartus软件对设计进行编译、综合、仿真。仿真结果表明该电路能有效滤去串行线路上噪声，极大增强了接收电路的抗噪声性能。

简介：研究了宽带近场信号源基于最大似然方法和相关信号子空间方法在非均匀噪声下的被动定位算法,并进行了比较.这两种算法均可在传感器任意分布的情况下有效地进行信号源定位.最大似然法采用了迭代的方法来估计噪声的协方差矩.而信号子空间法给出了聚焦阵构造的新方法.仿真试验证明了方法的有效性和稳健性.

简介：采用台积电（TSMC）0．1gum标准RFCMOS工艺进行仿真验证；改进了器件的噪声模型，给出了在功耗和阻抗匹配条件下噪声性能优化的设计方法。在遵守模拟电路设计的八边形法则的基础上，对参数进行折衷考虑（trade—o国和整体优化处理。仿真结果表明，此运算放大器的各项主要参数均满足预期要求，性能优异。

简介：在集成锁相环中，压控振荡器的输出频率范围要能随所有工艺和工作条件的变化而覆盖所需的频率范围。增大压控振荡器的增益而实现宽调协范围会增加压控振荡器和锁相环的相位噪声。在这篇文章中，通过两路控制来得到压控振荡器中心频率可调，实现了非常小的压控振荡器增益。

简介：本文给出了利用0．18umCMOS工艺设计的5．2GHz低噪声放大器。在1．8V电压下，工作电流为24mA增益为15．8dB噪声系数为1．4dB.

简介：德州仪器（TI）宣布推出一款带4通道分组式延迟的串行控制16通道恒流LED驱动器，可显著简化视频显示、留言板、娱乐照明和LED指示灯等LED显示应用的设计工作。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：凌特公司(LinearTechnology)推出两款高速运算放大器产品系列。这些器件比同类产品消耗的功率低50%,同时具有超低噪声性能、轨至轨输出和完全可在3.3V下工作。LT6230/1/2与LT6233/4/5放大器的综合特征非常适合仪器、通信与医疗设备领域中的有源滤波器设计和A/D转换器的驱动。

简介：亚德诺半导体（AnalogDevices，Inc．，简称ADD旗下凌力尔特公司推出10GHz增益带宽积双差分放大器LTC6419，该器件具非常低的1．1nV／√Hz输入电压噪声密度，因而能够为宽带信号放大提供卓越的SNR性能。此外，LTC6419是低失真的，在100MHz时提供85dB无寄生动态范围（SFDR），同时驱动2VP—P信号。用4个外部电阻器设置每个放大器的差分增益，