简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。
简介:12013年全球智能手机销售情况2014年2月14日,全球技术研究和咨询公司Gartner最新公布,2013年全球智能手机终端销售量总计为9.68亿支,较2012年显著增长42.3%(见表1).2013年智能手机占整体手机销售量的53.6%,首度超越功能型手机全年总销量.表12013年全球智能手机终端销售置(单位:千支)2013年第四季度,智能手机销售量增长36%,且占第四季度整体手机销售量的57.6%,较上年同期的44%有显著增长(见表2).智能手机销售量比重的提升主要来自拉丁美洲、中东与非洲、亚太地区及东欧市场的成长,上述地区智能手机销售量在第四季度的成长均超过50%.2013年第四季度印度智能手机销量强劲增长166.8%,成为Gartner追踪的国家中智能手机销售量成长幅度最大的;拉丁美洲则成为第四季度成长最快的区域(96.1%).中国对全球智能手机销售量也有显著贡献,2013年的销售量增长86.3%.