简介:<正>美国高通公司近日宣布,其子公司美国高通技术公司推出其第四代3G/LTE多模解决方案,包括最新的调制解调器芯片组QualcommGobiTM9x35和射频收发芯片QualcommWTR3925,带来行业领先的4GLTEAdvanced移动宽带连接。这两款产品属于美国高通技术公司第四代3G/LTE多模解决方案,
简介:新思科技有限公司(Synopsys,Inc.)日前宣布:该公司所提供经芯片生产验证的DesignWareTM数据转换器IP,已被应用于中芯国际广受欢迎的65nm低漏电(LowLeakage)工艺技术。这可帮助设计工程师更有效地提升其芯片的功率,并在集成设计上达事半功倍之效。
简介:在硅晶圆上生产半导体激光器一直以来是半导体行业的目标,这种制造工艺向来极具挑战性。近日,新加坡科学技术研究院A*STAR开发出一种新颖的制造方法,成本低廉、过程简便且可扩展性强。该混合硅激光器将III-V族半导体(如砷化镓和磷化铟)的发光特性与当前成熟的硅制造技术完美结合起来,可以将光子和微电子元件集成在单一硅芯片之中,从而获得价格低廉、可大批量生产的光学器件。
简介:致力实现智能、安全以及互连世界的半导体技术领先供应商一美高森美公司(MicrosemiCorporation)宣布与索尼公司半导体业务部(简称“索尼”)合作推出市场上首款具有3D功能的定时控制器与局部调光LED背光组合解决方案,用于制造成本较低的大批量下一代LCDTV。这款组合解决方案包括索尼CXD4730GB定时与照明控制器以及由MicrosemiDAZL!^TM2000系列32端口逻辑芯片(LX24232)与8端口LED驱动器功率芯片(LX23108L)构成的LED驱动器解决方案。
简介:百利通半导体公司,一家频率、信号调节和连接产品的全球首选供应商近日宣布:公司推出业界第一个量产化的频率介于2MHz-159MHz的“特定应用标准产品石英晶体振荡器(ApplicationSpecificStandardProductCrystalOscillators,ASSP—XO)”产品线。该产品系列通过最佳性能、立即可供货以及提供最经济高效的价格点来满足各种应用需求,为石英晶体振荡器产品提供了新的典范。
简介:
简介:意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管,内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管,这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效,包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。
简介:21世纪是技术与服务结合的竞争时代。是数字化的时代。
简介:(2004年8月16日,香港)由香港线路板协会及美国电子电路和电子互连行业协会(美国IPC协会)合办之2004国际线路板及电子组装展览会将于2004年12月8-10日假中国东莞厚街——广东现代国际展览中心举行。
简介:来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓(GaAs)量子点(QD)激光器中电泵激1.3μm砷化铟(InAs)的材料生长工艺,该砷化镓衬底是利用分子束外延技术(MBE)直接生长在同轴(001)硅衬底上的。
高通发布第四代3G/LTE多模调制解调器和射频收发芯片
Synopsys宣布提供经中芯国际65nm低漏电工艺芯片验证的DesignWare数据转换器IP
新加坡科学技术研究院开发出可用于光学器件批量生产的混合硅激光器
Microsemi发布面向下一代3DLCDTV的定时控制器与LED背光组合解决方案
Pericom为高成长市场推出业界第一个ASSP石英晶体振荡器(ASSP—XO)产品线
安森美半导体将向Analog Devices,Inc.收购中央处理器稳压及个人电脑热监控业务
ST推出新款的MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管提升高能效转换器的功率密度
EFI Colorproof XF 2.6构建中小型数码印刷、数码打样打印服务器 “快捷先锋数码快印”品牌加盟连锁机构全线运用
2004国际线路板及电子组装展览会报展反应热烈致力成为华南最有代表性专业展览会
日本东京大学首次通过分子束外延法实现了在硅上生长砷化镓量子点激光器有助于推动下一代计算的发展