简介:利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.
简介:在ICF驱动器中大量使用大口径光学元件,由于材料及加工等原因在元件表面和内部常会出现划痕、麻点、气泡、包裹体等,这些疵病的存在会导致能量损失、光束质量变坏,甚至导致光学元件损伤。对光学元件的疵病进行检测有利于掌握光学元件加工质量,有效控制光学元件使用,并有利于提升驱动器整体性能。另外,驱动器运行维护过程中还需要随时了解和掌握光学元件的损伤状态和污染情况,本课题研究的疵病检测方法适用于对光学元件进行非接触式在线监测。
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
大口径光学元件疵病检测实验中的光源均匀照明设计