简介:通过自由基共聚的方法制备了聚偏氟乙烯-g-聚(N-异丙基丙烯酰胺)(PVDF—g-PNIPAAm)共聚物,进而采用浸没沉淀相转化法制备了PVDF—g—PNIPAAm共聚膜。采用超声时域反射法研究了不同凝固浴温度下PVDF—g-PNIPAAm的成膜动力学。结合PVDF—g—PNIPAAm的成膜动力学,研究了凝固浴温度对膜结构与性能的影响。结果表明,在不同凝固浴温度下,PVDF—g—PNIPAAm的成膜过程均由液液分相来控制,凝固浴温度为30℃时成膜时间最长,40℃时成膜时间最短;不同凝固浴温度下制备的PVDF—g—PNIPAAm共聚膜保持了PVDF的结晶特性,随着凝固浴温度的升高,结晶度降低。同PVDF—g—PNIPAAm共聚物相比,PNIPAAm在PVDF—g—PNIPAAm膜表面的含量更高,其中,30℃时所成膜表面的PNIPAAm含量最高。不同凝固浴温度下所成的膜均呈指状孔结构,其中,30℃下所成的膜指状孔最大,孔隙率最高。25℃下制备的PVDF—g—PNIPAAm膜具有明显的温度响应性能,其水通量在30℃附近有显著增加。
简介:
简介:Er^3+-dopedSrBi4Ti4O15-Bi4Ti3O12(SBT-BIT-xEr^3+,x=0.00,0.05,0.10,0.15and0.20)inter-growthceramicsweresynthesizedbythesolid-statereactionmethod.Structural,electricalandup-conversionpropertiesofSBT-BIT-xEr^3+wereinvestigated.Allsamplesshowedasinglephaseoftheorthorhombicstructure.RamanspectroscopyindicatedthattheEr^3+substitutionforBi^3+atAsitesofthepseudo-perovskitelayerincreasesthelatticedistortionofSBT-BIT-xEr^3+ceramics.ThesubstitutionofBi^3+byEr^3+leadstoadecreaseofdielectriclosstanδandanincreaseofconductivityactivationenergy.Piezoelectricconstantd33wasslightlyimproved,butdielectricconstantwasdecreasedwiththeEr^3+doping.TheSBT-BIT-xEr^3+ceramicwithx=0.15exhibitstheoptimizedelectricalbehavior(d33~17pC/N,tanδ~0.83%).Moreover,twobrightgreen(532and548nm)andonered(670nm)emissionbandswereobservedunderthe980nmexcitation.Optimizedemissionintensitywasalsoobtainedwhenx=0.15fortheSBT-BIT-xEr^3+ceramic.Therefore,thiskindofceramicsoughttobepromisingcandidatesformultifunctionaloptoelectronicapplications.
简介:1适用范围1.1本规程涉及用萤光紫外一冷凝型曝晒仪模拟由阳光和雨、露引起的劣化的基本原则和操作过程。1.2本规程限于获取、测量和控制曝晒的条件和过程的方法,并未规定最适合待测材料的曝晒条件。试样制备和结果的评价,包括在特定材料的ASTM试验方法或规范中。1.3以国际单位表明的数值视为标准。1.4本标准可能涉及危险物质、操作及设备。本标准没有说明所有有关使用的安全问题。本标准的使用者有责任在使用前建立适宜的安全卫生规程及确定规章适用范围。2参考标准2.IASTM标准:E220采用比较技术的热电偶标定方法。G7非金属材料的大气环境曝晒试验现程2.ZCIE标准第20号用于性能测定的模拟太阳辐射的集中