简介：基于局域密度近似（LSDA,Localspin-densityapproximation）和有效库仑相关能（Uapproach）,采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐（GdAlO3,GAP）电子结构,并研究了铽离子（Tb3＋）掺杂后（GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb）对能带带隙（Eg,Energyofgap）的影响。计算结果表明：GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带（VB,Valenceband）顶部的O-2p和导带（CB,conductionband）底部Al-3（s＋p）、Gd-（s＋d）（p）决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3＋的掺入,当掺入量为1/4原子比时（GAP∶Tb0.25）出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3＋的5D3-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁和5D4-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁。当掺入量为1/16时（GAP∶Tb0.0625）,仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合（荧光发射主峰对应5D4→7F5（544nm））。

简介：在磷酸盐电解液中添加一定浓度的钼酸钠，采用微弧氧化技术在5083铝合金表面制备出完整的氧化膜，研究了钼酸钠浓度对氧化膜性能的影响。利用SEM、EDS和XRD研究了氧化膜的表面形貌、成分和结构，并采用动电位极化曲线和电化学阻抗谱（EIS）评价氧化膜的耐腐蚀性能。结果表明：随着钼酸钠浓度的增加，氧化膜的厚度先增后减，氧化膜表面的微孔数量逐渐减少，表面更加平整致密；氧化膜主要由γ-Al2O3组成，钼酸钠浓度对氧化膜成分和结构影响不明显；微弧氧化陶瓷膜提高了铝合金基体的耐腐蚀性能，当钼酸盐的浓度为1．0g／L时，氧化膜具有最低的自腐蚀电流和最高的阻抗模值，表现出最优的耐腐蚀性能。