简介:经过近两年的努力,在广东省政府企业技术改造项目的资助下、在广东粤晶高科有限公司和华越微电子有限公司的协助下,浙大微电子目前成功研发了广泛应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、汽车电器、PDP等整机产品配套的500V/18A高压功率VDMOS器件,并且拥有自主知识产权。
简介:<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。
简介:中国台湾国立台湾大学与TSMC2月16日共同发表产学合作成果,成功研发出全球第一颗以40nm制程制作的自由视角3D电视机顶盒芯片,可望较现行技术提供更精致、多元的视讯影像体验。此项成果为视讯处理及半导体制程技术在3D领域的重大突破,该芯片也将在二月下旬于国际固态电路研讨会上(ISSCC)正式发表。
简介:2007年1月29日,英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破,采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45nm晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。在下一代英特尔。酷睿TM2双核、英特尔一酷睿TM2四核以及英特尔。至强。系列多核处理器中,将置人数以亿计的这种微观晶体管或开关。英特尔公司同期宣布已有5种早期版本的产品正在运行,这是公司计划中的15款45nm处理器产品的第一批。
简介:一个光标签的标签扑灭比率和分散赔偿正在交换传播系统优化,它采用40-Gb/s回来到调音的零微分阶段移动(RZ-DPSK)用622-Mb/s振幅移动调音标记的收费载重(问)控制数据。在我们的计划,收费载重和标签的接收装置敏感分别地完成-27.8dBm和-33.5dBm。在在40km上播送了以后,60km和80km挑选模式纤维(SMF)(与分散赔偿)分别地,收费载重能没有力量惩罚被恢复,当标签能与不到2dB惩罚被恢复时。
浙大微电子500V/18A、200V/40A高压功率VDMOS器件研发成功
英飞凌40 V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获OFweek2013电子行业年度技术创新奖
TSMC与中国台湾国立台湾大学携手合作成功开发全球首颗40nm 3DTV芯片
英特尔发布晶体管技术重大突破为40年来计算机芯片之最大革新
Optimization of Key Parameters in 622-Mb/s Amplitude Shift Keying Labeled 40-Gb/s Return to Zero Differential Phase Shift Keying Optical Switching Network