简介:
简介:本文简要讨论用自发成核(SPONTANEOUSNUCLEATION)的办法生长大单晶金刚石的问题。全文共分三部分:1、回顾;2、技术关键;3、展望。
简介:本文用微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜,反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜(SEM)和Raman光谱研究了CH4流量和反应时间对多晶金刚石薄膜形貌和碳结构的影响。结果表明:随着CH4流量的增加,金刚石的成核密度增加,并出现二次形核,金刚石颗粒从单晶逐渐转变为多晶结构。多晶金刚石薄膜的生长过程为:生长初期在单晶硅衬底上形成非晶碳层,金刚石在非晶碳层上成核长大,并伴随着二次成核,最终形成多晶金刚石膜。
简介:本文详细地讨论了金刚石行业关心的金刚石单晶生产的产量问题。
简介:2014年4月23日上午,第15届立嘉国际机械展览会在重庆国际博中心开幕。展会以"共享智能化数字化自动化成果"为主题,吸引了来自德国、美国、瑞士、瑞典、日本、韩国、意大利、挪威、印度等20多个国家和地区的1,500余家知名装备制造企业参展。
简介:本文论述了采用温度梯度法在人造金刚石生长中的添加N、B杂质元素对生长温度的影响。
简介:宽带隙金刚石膜及立方氮化硼薄膜由于其优异的物理性质和低成本,在机械、电子、光学及军事工业等部门有广阔的应用前景。
简介:由讯通展览公司主办的第15届东莞国际模具、金属加工、橡塑胶及包装展(简称DMP展)暨国际(东莞)铸业展(简称IMCS展)于2013年11月13日在中国东莞市厚街盛大开幕。
简介:本文对研制出的专门用做金刚石工具胎体材料的预合金粉末(编号TT15)的特性,进行了分析和研究。指出这种TT15粉末是以Fe-Cu-Ni为基并添加适量的其他特种元素雾化而成。其特点是:熔点低,烧结性能好,对金刚石的粘结性能高等,适宜于制造金刚石切割工具。研究还发现,在850℃/18MPa/3min热压工艺条件下,TT15颗粒可与金刚石发生界面反应,在与金刚石颗粒表面接触表面形成反应圆斑,其反应斑深度约为1-2μm,这种反应对金刚石的强度损害很小,可大大提高TT15对金刚石的粘结能力。
简介:本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法,在Si(100)基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜,第二步是利用H2SO4:CrO3的饱和溶液对样品进行处理,再用H2O2:NH4OH(1:1)溶液冲洗干净,处理之后再沉积第二层金刚石薄膜。利用SEM、拉曼光谱、XPS分析金刚石薄膜。结果表明,薄膜厚度达60μm,纯度很高,并且在整个面积上是均匀的。
简介:本文研究了在高温高压条件下,用FeNi合金做催化剂生长金刚石单晶时金属膜的显微形貌。
金刚石生长不好的关键所在
碳源特性与金刚石晶体生长
自发成核生长大单晶金刚石
静压法生长金刚石的几个问题
MPCVD多晶金刚石薄膜的生长特性研究
高压设备的类型与金刚石的生长
关于高温高压生长金刚石单晶产量的讨论
第15届立嘉国际机械展在渝开幕1500余家企业参展
高温高压合成金刚石中掺杂对生长温度的影响
宽带隙薄膜材料核化与生长机制及其性质的研究
2013第15届东莞厚街国际模具及金属加工展(DMP)隆重举行
金刚石锯片胎体专用预合金粉末(TT15)的性能研究
两步生长法制备大面积HFCVD金刚石薄膜
FeNi合金做催化剂高温高压生长金刚石的金属膜
再谈传压介质问题—关于金刚石生长环境的化学成分