简介：Vishay公司日前宣布推出占位面积为2525，厚度仅为3．0毫米且具有1．0μH～22μH电感值的新型器件，从而扩展了其超薄、高电流的IHLP电感器系列。

简介：本文介绍了一种应用于电动汽车动力系统的大功率双向DC／DC变换器，该变换器中应用了一种特殊的数宁控制策略，它可以令能量在小同方向之间进行平滑的切换，并促使变换器实现自身的能量管理。作为一个实例，该变换器的优点在燃料电池汽车的研究中得以体现，下文中将具体给出该变换器的使用数据和测试结果。目前适用于24kW和70kW功率等级的双向DC／DC变换器的两种拓扑结构已经被设计出来，并得到了认可。这两种变换器具有全数字控制的过压、过流和过温保护，变换器中冷却液的温度最高可达85℃，而变换器的损耗却很低，同时功率密瞍可高达5W／cm3。变换器的特性参数和在燃料电池汽车中应用时的测试结果，将在下面予以介绍。

简介：结合INFORM／EMF转子位置估计值，采用外转子永磁同步电机（PMSM），在轻型车辆上实现了一种新型低成本的无传感器的磁场定向传动驱动系统。这样，通过满载启动转矩功能，类似于霍尔单元的他置怍感器就可以省掉。此外，为了降低硬件成本，通过低成本的直流母线旁路电流测量代替昂贵的相电流传感器，完成了基于直流母线的电流测量。在启动的时候，实施了一种经过修整的1NFORM过程，目的是在保证不出现明显的输出转矩和转子振荡的前提下，以确保转子位置在几毫秒内正确的初始化。通过批量生产的永磁电机使用，对转子几何形状在INFORM范围（低速情况下）内根据过载能力作了优化，优化算法采用数值场计算方法，以秒为迭代步长（MAXWEI．L2D）．并给出了在一个轻型车辆上的实现及测试结果。

简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

简介：Allen-BradleyPowerFlex750系列交流变频器旨在最大化您的投资并提高生产率。无论您需要将其应用于常规用途还是多变频器系统应用,PowerFlex750系列都能比其它同类变频器提供更多的控制、通讯、安全和支持硬件选件。

简介：本文介绍了微能8000kW／10kV超大容量高压变频调速系统在河北某公司炼铁高炉鼓风机节能改造的应用情况，同时分析了高炉鼓风机的工艺及可靠性要求，为高压变频器在炼铁高炉鼓风机上的应用提供了应用经验。

简介：

简介：介绍LZ4123和LZ2981集成电路的工作原理及其在摩托车点火器中的应用，并给出应用的电路图。

简介：以IGBT、IGCT等为代表的新型电力半导体器件和模块，在我国空调、冰箱、通信电源和电机调速装置(变频器)等电器和设备中的应用日益广泛，对我国高效节能事业和自动化技术的发展起到很大的推动作用。但是，近些年的实践中，由于种种原因，这些新器件在运行中失效损坏的现象还屡有发生。为了介绍和交流

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

简介：半导体在汽车市场的地位日显重要。在科技突飞猛进的今天，“智能功率”技术迎合了“硅上系统”和“封装中系统”市场快速增长的需求。汽车制造商和电子模块制造者找到一种更有效的适合其需要的工艺技术。事实上，他们在技术创新、价格、可靠性和环境标准方面都已经取得了非常大的进步。正是由于不断的技术改进和封装革新，使得现在能够谈论“封装中系统”，也就是说，将不同的硅片安装在一个模块中进行“机电一体化(Mechatronic)”的探索。它将机械、电气、电子和信息等部件完全地集成在同一模块中。机电一体化的方法帮助设计者从集中式结构到分布式结构的转变，推进了分布式功率密度的提高和引线的大量减少。本文阐述功率H型电桥的应用，并且将传统方法(继电器或者分立器件结构)与新型方法相比较，将一个H型全桥、保护电路、故障诊断电路集成为一个功率模块，而故障诊断信号又反馈到微处理器；还通过表面贴装器件(SMD)封装和印刷电路板(PCB)组成的系统优化散热来考虑热问题。为防止对汽车中其它电子系统产生干扰，文中还给出了电磁兼容的测量性能。

简介：MicrochipTechnologyInc．（美国微芯科技公司）近日宣布在其32位PIC32单片机系列中集成USB2．0On—The—Go（OTG）功能。集成的USBOTG有助于设计工程师以简易和性价比高的途径，满足最终产品对高级USB连接功能与日俱增的需求。PIC32系列不仅为嵌入式设计人员带来更高的性能及容量更大的存储器，还可在引脚、外设及软件等方面，保持与Microchip16位单片机及数字信号控制器（DSC）系列的兼容性。

简介：本文阐述了西门子SIMOVERTS同步电动机自控变频系统的主回路结构、控制系统组成及工作腺理，给出了软启动系统工作的时序逻辑，对主要控制功能进行了分析，并就采用一拖二方式在济钢1750m^3高炉风机上的典型应用进行了介绍。

简介：由北京电力电子学会、中国电器工业协会电力电子分会、IEEE电力电子学会北京分会和浙江省嘉善县人民政府主办,北京华瑞赛晶电子科技有限公司、《变频器世界》杂志社承办的2004电力电子技术及应用年会暨第四届中国电力电子论坛于2004年10月28日-31日在浙江省嘉善县举行。与会代表170人,他们来自67个单位,其中外企有ABB半导体、ABB传感器、Semikom、CooperBussmann、Bussmann快熔、HuaDanInternationalAPS、AVX、Redivdlt/ExpressASIA等8家公司。在开幕式主席台上就座的特邀嘉宾有国家科技部高新技术司自动化处处长戴国强、中国

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：随着我国高压变频器技术的不断发展和成熟,高品质10MVA以上高压大功率变频器打破国外垄断的时机已经到来,大功率、高集成度、高密度功率单元、模块化设计、转速矢量控制已成为发展趋势,并在一些领域取得了成功。

简介：从超小型铝电解电容器CD11E的特点和性能要求出发，进行结构设计，选用主要材料，研制专用工作电解液，确定专用设备，以及分切、铆接、装配等关键工艺。根据生产实际，调整检验项目及标准，引入一系列新的检验设备和方法，实现了超小型产品的正常生产。