简介：PWMDC／DC转换器的设计中，为了防止出现次谐波振荡，需要引入斜坡补偿电路，而传统的斜坡补偿电路通常在加法器处会引入附加的内部反馈环路。这会极大地限制系统带宽。文中提出了一种简单的结构来实现峰值电流模式下的斜坡补偿。这样可以减小斜坡补偿中加法器对系统带宽的限制，从而可以提高系统稳定性，使转换器有更高的开关频率。仿真结果表明．这种方法能实现电压信号准确地相加。

简介：由北京电力电子学会、中国电器工业协会电力电子分会、IEEE电力电子学会北京分会和浙江省嘉善县人民政府主办,北京华瑞赛晶电子科技有限公司、《变频器世界》杂志社承办的2004电力电子技术及应用年会暨第四届中国电力电子论坛于2004年10月28日-31日在浙江省嘉善县举行。与会代表170人,他们来自67个单位,其中外企有ABB半导体、ABB传感器、Semikom、CooperBussmann、Bussmann快熔、HuaDanInternationalAPS、AVX、Redivdlt/ExpressASIA等8家公司。在开幕式主席台上就座的特邀嘉宾有国家科技部高新技术司自动化处处长戴国强、中国

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：

简介：阐述了直接转矩控制系统的发明和发展，指出其控制原理和方案的特点，特别阐明了它在转速与磁链分别控制中的解耦作用。最后，对直接转矩控制和矢量控制两种方案进行了比较，指出各自的优缺点和发展方向。

简介：杜威说,须珍藏某种信念,必须握住某种梦想,必须有彩虹,必须有歌可唱,必须有高贵的事业可以投身。”回顾利德华福二十年成长史,几乎是整个中国高压变频器行业的发展史。在近二十年的事业生涯中,利德华福首席技术官倚鹏先生,用执着与奋进,坚守与智慧,驱动利德华福高压变频器技术与产品的长足进步,同时为国内节能减排、低碳环保的事业付出了卓越努力。

简介：随着我国高压变频器技术的不断发展和成熟,高品质10MVA以上高压大功率变频器打破国外垄断的时机已经到来,大功率、高集成度、高密度功率单元、模块化设计、转速矢量控制已成为发展趋势,并在一些领域取得了成功。

简介：GaN基功率器件技术正在快速发展，其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性，并且其优值（FOM）较Si基器件有非常冠著的改善，GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器／变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗，所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起，可以缩小系统尺寸，并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势，以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC／DC和DC／DC拓扑的实测结果和仿真实例。

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简介：2008年，欧姆龙为实现年度目标，通过与客户“零距离”沟通，可以灵活应对中国客户要求、提高客户生产效率和产品质量，而精心打造了“FY08综合解决方案Compactsolution秋季全国20城市巡展”。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。